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MJ16110
isc Product Specification INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor MJ16110 DESCRIPTION ·Collector-Emitter Sustaining VoltageVCEO(SUS)= 400V(Min) ·High Switching Speed ·Wide Area of Safe Operation APPLICATIONS ·Designed for use in half bridge and full bridge off line converters. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VCES Collector-Emitter Voltage 650 V VCEO Collector-Emitter Voltage 400 V VEBO Emitter-Base Voltage 6 V IC Collector Current-Continuous 15 A ICM Collector Current-Pulsed 20 A IB Base Current-Continuous 10 A IBM Base Current-Pulsed 15 A PD Total Power Dissipation 175 100 W Tj Junction Temperature 200 ℃ Tstg Storage Temperature -65~200 ℃ B TC=25℃ TC=100℃ THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT Rth j-C ThermalResistance Junction To Case 0.92 ℃/W isc Website：www.iscsemi.cn
MOT
1999年8月4日、ディスクリート・標準アナログ・標準ロジックなどの半導体部門をオン・セミコンダクターとして分社化した。これは、イリジウムコミュニケーションズ倒産の損失をカバーするために分社化された。
ON Semiconductor
U.S.A
オン・セミコンダクターの前身は、モトローラ社の半導体コンポーネント・グループであり、モトローラ社のディスクリート、標準アナログ、標準ロジック・デバイスを継続して製造。
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