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H5N2008P-E
H5N2008P Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching REJ03G0390-0300 Rev.3.00 Nov.24.2004 Features • Low on-resistance • Low leakage current • High speed switching Outline TO-3P D 1. Gate 2. Drain (Flange) 3. Source G S 1 2 3 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) Item Drain to Source voltage Gate to Source voltage Drain current Drain peak current Body-Drain diode reverse Drain current Body-Drain diode reverse Drain peak current Avalanche current Avalanche energy Channel dissipation Channel to case thermal impedance Channel temperature Storage temperature Notes: 1. PW ≤ 10 µs, duty cycle ≤ 1% 2. Value at Tc = 25°C 3. STch = 25°C, Tch ≤ 150°C Rev.3.00 Nov.24.2004 page 1 of 6 Symbol VDSS VGSS ID ID (pulse)Note1 IDR IDR (pulse)Note1 Ratings 200 ±30 96 192 96 192 Unit V V A A A A IAPNote3 EARNote3 Pch Note2 θch-c Tch Tstg 48 153 150 0.833 150 –55 to +150 A mJ W °C/W °C °C
RENESAS
ルネサス エレクトロニクス株式会社
日本
2010年（平成22年）4月に設立された大手半導体メーカー。半導体製品の研究開発・製造・販売・サービス。主力製品は、マイコン(CISC、RISC)、パワーデバイス、アナログ＆ミックスドシグナルIC、汎用IC、高周波デバイス、光半導体、車載用LSI、産業用LSI、メモリ、ASIC、USB ASSP、システムLSI
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