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2SD1590K
isc Product Specification INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Saturation Voltage: VCE(sat)= 1.5V(Max) @IC= 3A ·High DC Current Gain : hFE= 2000(Min) @ IC= 3A ·Complement to Type 2SB1099 APPLICATIONS ·Designed for audio frequency power amplifier and low speed switching industrial use. .cn mi e ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL scs .i PARAMETER ww VCBO Collector-Base Voltage VCEO Collector-Emitter Voltage VEBO Emitter-Base Voltage w VALUE UNIT 150 V 100 V 7 V IC Collector Current-Continuous 8 A ICP Collector Current-Pulse 12 A IB Base Current-Continuous 0.8 A B Collector Power Dissipation @ Ta=25℃ 2 PC W Collector Power Dissipation @ TC=25℃ TJ Tstg 25 Junction Temperature 150 ℃ -55~150 ℃ Storage Temperature Range isc Website：www.iscsemi.cn 2SD1590
NEC
NECエレクトロニクスは平成14年にNECから、ルネサスは平成15年に日立製作所及び三菱電機からそれぞれ分離独立する形で設立された半導体専業企業であり両者は合併した。
RENESAS
ルネサス エレクトロニクス株式会社
日本
2010年（平成22年）4月に設立された大手半導体メーカー。半導体製品の研究開発・製造・販売・サービス。主力製品は、マイコン(CISC、RISC)、パワーデバイス、アナログ＆ミックスドシグナルIC、汎用IC、高周波デバイス、光半導体、車載用LSI、産業用LSI、メモリ、ASIC、USB ASSP、システムLSI
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