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1SS176TPA7
LESHAN RADIO COMPANY, LTD. Switching diode 1SS176 . 300mW DO-34 . Glass silicon switching diodes . We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. Product Characteristic Absolute Maximum Ratings(Ta=25°C) TYPE VRM(V) VR(V) IFM(mA) IO(A) P(mW) 1SS176 35 30 300 1 300 Symbol Min. Typ. Max. Unit VF —— —— 1.2 V IR —— —— Ct —— —— 3 pF trr —— —— 4 ns Characteristics at Ta = 25°C Forward Voltage Leakage Current Capacitance at at IF = 100 mA at VR = 30 V VR = 0V Reverse Recovery Time f =1MHZ form IF = 10 mA 0.5 μA Characteristic Curves IR--VR 10 10 REVERSE CURRENT IR (uA) 10 ` 2` 10 Ta=100℃ 1 10-1` -25 25 FORWARD CURRENT IF (mA) IF--VF 3 10-2` 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 FORWARD VOLTAGE VF(V) 1.2 Ta=100℃ 1 75 50 10-1` 25 10-2` 10-3` 10-4` 0 20 40 60 80 REVERSE VOLTAGE VR (V) 1/2 LESHAN RADIO COMPANY, LTD. Packing Taping / Box(T52) Tape Inner Box:5000pcs/each 80mm 80mm 260mm Taping / Box(T26) Tape Inner Box:5000pcs/each 80mm 50mm 260mm Bulk 500pcs/bag 85mm 10000pcs /each 160 mm 185mm Reel（T52） 10000pcs/卷 Φ90mm Φ330mm
TOSHIBA
株式会社 東芝セミコンダクター＆ストレージ社
日本
半導体部門、DRAM、フラッシュメモリ、プロセッサ、汎用LSI
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