SQ I P 型
Bridge Diode
Square In-line Package
■外観図 OUTLINE
S2VB60
Unit : mm
Weight : 3g typ.）
（
Package：S2VB
600V 2A
②
①
特長
• 耐湿性に優れ高信頼性
• 高耐熱性
• 低 IR
③
④
7.5
Feature
• High-Reliability
• Heat Resistance
• Low IR
品名
Type No.
20
+ S2VB
6N
20
−
ロッ
ト記号
（例）
Date code
13
② ∼
＋ ①
④−
∼ ③
13
外形図については新電元 Web サイト又は〈半導体製品一覧表〉をご参照下
さい。捺印表示については捺印仕様をご確認下さい。
For details of outline dimensions, refer to our web site or the Semiconductor
Short Form Catalog. As for the marking, refer to the specification “Marking,
Terminal Connection”
.
■定格表 RATINGS
■定格表 RATINGS
●絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings（指定のない場合 Tl =25℃／unless otherwise specified）
項 目
Item
保存温度
Storage Temperature
接合部温度
Operation Junction Temperature
せん頭逆電圧
Maximum Reverse Voltage
出力電流
Average Rectified Forward Current
せん頭サージ順電流
Peak Surge Forward Current
電流二乗時間積
Current Squared Time
締め付けトルク
Mounting Torque
品 名
Type No.
記号
条 件
Symbol Conditions
S2VB60
単位
Unit
Tstg
−40∼150
℃
Tj
150
℃
600
V
2
A
40
A
6
A2s
0.5
N・m
VRM
IO
IFSM
It
2
TOR
50Hz 正弦波，抵抗負荷，フィンなし，Ta = 40℃
50Hz sine wave, Resistance load, Without heatsink, Ta = 40℃
50Hz 正弦波、非繰り返し１サイクルせん頭値，Tj = 25℃
50Hz sine wave , Non-repetitive 1 cycle peak value Tj = 25℃
,
1ms≦t＜10ms Tj = 25℃， １素子当たりの規格値
per diode
（推奨値：0.3 N・m）
（Recommended torque : 0.3 N・m）
●電気的・熱的特性 Electrical Characteristics（指定のない場合 Tl =25℃／unless otherwise specified）
順電圧
Forward Voltage
逆電流
Reverse Current
熱抵抗
Thermal Resistance
30
（J534-1）
VF
IR
θjl
パルス測定，１素子当たりの規格値
Pulse measurement, per diode
MAX
1.05
VR = VRM, パルス測定，１素子当たりの規格値
Pulse measurement, per diode
MAX
10
μA
接合部・リード間
Junction to Lead
MAX
7
℃/W
IF = 1A,
V
