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部品型式

RA07H0608M-101

製品説明
仕様・特性

Silicon RF Power Semiconductors ELECTROSTATIC SENSITIVE DEVICE OBSERVE HANDLING PRECAUTIONS RA07H0608M RA07H0608M 07H0608 RoHS Compliance ,68-88MHz 7W 12.5V, 2 Stage Amp. For PORTABLE RADIO DESCRIPTION The RA07H0608M is a 7-watt RF MOSFET Amplifier Module for 12.5-volt portable radios that operate in the 68- to 88-MHz range. The battery can be connected directly to the drain of the enhancement-mode MOSFET transistors. Without the gate voltage (VGG=0V), only a small leakage current flows into the drain and the RF input signal attenuates up to 60 dB. The output power and drain current increase as the gate voltage increases. With a gate voltage around 4V (minimum), output power and drain current increases substantially. The nominal output power becomes available at 4.5V (typical) and 5V (maximum). At VGG=5V, the typical gate current is 1 mA. This module is designed for non-linear FM modulation, but may also be used for linear modulation by setting the drain quiescent current with the gate voltage and controlling the output power with the input power. BLOCK DIAGRAM 2 3 1 4 5 1 RF Input (Pin) RF Output (Pout) 5 • ηT>38% @ Pout=7W (VGG control), VDD=12.5V, Pin=30mW • Broadband Frequency Range: 68-88MHz • Low-Power Control Current IGG=1mA (typ) at VGG=5V • Module Size: 30 x 10 x 5.4 mm • Linear operation is possible by setting the quiescent drain current with the gate voltage and controlling the output power with the input power Gate Voltage (VGG), Power Control Drain Voltage (VDD), Battery 4 FEATURES • Enhancement-Mode MOSFET Transistors (IDD≅0 @ VDD=12.5V, VGG=0V) • Pout>7W @ VDD=12.5V, VGG=5V, Pin=30mW 2 3 RF Ground (Case) PACKAGE CODE: H46S RoHS COMPLIANT • RA07H0608M-101 is a RoHS compliant products. • RoHS compliance is indicate by the letter “G” after the Lot Marking. • This product include the lead in the Glass of electronic parts and the lead in electronic Ceramic parts. How ever, it applicable to the following exceptions of RoHS Directions. 1.Lead in the Glass of a cathode-ray tube, electronic parts, and fluorescent tubes. 2.Lead in electronic Ceramic parts. ORDERING INFORMATION: ORDER NUMBER SUPPLY FORM RA07H0608M-101 Antistatic tray, 50 modules/tray RA07H0608M 28 Jun 2010 1/9

ブランド

MITSUBISHI

現況

NECエレクトロニクスは平成14年にNECから、ルネサスは平成15年に日立製作所及び三菱電機からそれぞれ分離独立する形で設立された半導体専業企業であり両者は合併した。

現ブランド

RENESAS

会社名

ルネサス エレクトロニクス株式会社

本社国名

日本

事業概要

2010年(平成22年)4月に設立された大手半導体メーカー。半導体製品の研究開発・製造・販売・サービス。主力製品は、マイコン(CISC、RISC)、パワーデバイス、アナログ&ミックスドシグナルIC、汎用IC、高周波デバイス、光半導体、車載用LSI、産業用LSI、メモリ、ASIC、USB ASSP、システムLSI

供給状況

 
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