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1SR139-400T-32
1SR139-400 Diodes Rectifier diode 1SR139-400 External dimensions (Unit : mm) Applications High speed rectification CATHODE BAND (GREEN) 4 φ0.6±0.1 ① ② Features 1) Cylindrical mold. (MSR) 2) High reliability. 3) Fast recovery speed. 3.0±0.2 29±1 29±1 φ2.5±0.2 ROHM : MSR ① ② Manufacture Date Taping specifications (Unit : mm) Construction Silicon diffused junction BROWN H2 A BLUE E C L2 F H1 Standard dimension value(mm) T-31 52.4±1.5 +0.4 T-32 26.0 0 T-31 5.0±0.5 B T-31 5.0±0.3 T-31 C 1.0 max. T-32 T-31 D 0 T-32 T-31 1/2A±1.2 E T-32 1/2A±0.4 T-31 ±0.7 Ｆ T-32 0.2 max. T-31 H1 6.0±0.5 T-32 T-31 H2 5.0±0.5 T-32 T-31 1.5 max. |L1-L2| T-32 0.4 max. ＊H1(6mm)：BROWN Ａ B L1 Symbol D Absolute maximum ratings (Ta=25°C) Parameter Absolute peak reverse voltage Reverse voltage (repetitive peak) Average rectified forward current (*1) Forward current surge peak (60Hz・1cyc) Junction temperature Storage temperature Limits 500 400 1 40 150 -40 to +150 Symbol VRMS VR Io IFSM Tj Tstg Unit V V A A ℃ ℃ (*1) Mounting on alumina board Electrical characteristics (Ta=25°C) Parameter Forward voltage Symbol VF Min. - Typ. - Max. 1.1 Unit V Reverse current IR - - 10 uA Conditions IF=1.0A VR=400V Rev.B 1/3 1SR139-400 Diodes 3 DC 0.01 D=1/2 Sin(θ＝180) 3 0A 0V 2.5 2 DC Io t VR D=t/T VR=200V T Tj=150℃ D=1/2 1.5 1 Sin(θ＝180) 0.5 0 100 200 300 REVERSE VOLTAGE:VR(V) VR-PR CHARACTERISTICS 400 0A 0V 2.5 2 Io t DC 1.5 VR D=t/T VR=200V T Tj=150℃ D=1/2 1 Sin(θ＝180) 0.5 0 0 0 AVERAGE RECTIFIED FORWARD CURRENT:Io(A) AVERAGE RECTIFIED FORWARD CURRENT:Io(A) REVERSE POWER DISSIPATION:PR (W) 0.02 0 25 50 75 100 125 AMBIENT TEMPERATURE:Ta(℃) Derating Curveﾞ(Io-Ta) 150 0 25 50 75 100 125 150 CASE TEMPARATURE:Tc(℃) Derating Curveﾞ(Io-Tc) ELECTROSTATIC DISCHARGE TEST ESD(KV) 30 25 AVE:18.6V 20 15 10 AVE:5.00kV 5 0 C=200pF R=0Ω C=100pF R=1.5kΩ ESD DISPERSION MAP Rev.B 3/3
ROHM
ローム株式会社
日本
炭素皮膜抵抗の特許を元に創業した。社名のROHM（R:抵抗 Ohm:抵抗を示す単位）はそこに由来する。その後、大規模集積回路の製造を手がけ始め、現在は様々な機能を顧客の要望に応じてLSI上に集積するカスタムLSIが主力となっている。
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