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BA12003B
Datasheet 7 Circuits Darlinton Transistor Array BA12003B BA12003BF BA12004B BA12004BF General Description Key Specifications ■ ■ ■ ■ ■ ■ BA12003B/BF,BA12004B/BFare darlinton transistor array consist of 7circuits, input resistor to limit base current and output surge absorption clamp diode. Features ■ ■ ■ ■ ■ Built-in 7 circuits High output break down voltage High DC output current gain Built-in input resistor to limit base current Built-in output surge absorption clamp diode Output break down voltage： VCE=60V(max) Output current： Io=500mA/ch(max) Operating supply voltage range： -0.5V to +30V Operating temperature range： -40°C to +85°C DC current gain： hfe=1000(min) BA12003B/BF Rin=2.7kΩ Input resistor： BA12004B/BF Rin=10.5kΩ Packages DIP16 SOP16 W(Typ) x D(Typ) x H(Max) 19.40mm x 6.50mm x 7.95mm 10.00mm x 6.20mm x 1.71mm Applications ■ ■ ■ ■ Motor Drivers LED Drivers Solenoid Drivers Low Side Switch DIP16 BA12003B / BA12004B SOP16 BA12003BF / BA12004BF Typical Application Circuit VCC VCC VCC 16 15 14 13 12 11 10 9 1 2 3 4 5 6 7 8 μCOM ○Product structure: Silicon monolithic integrated circuit ○This product has not designed protection against radioactive rays www.rohm.com TSZ02201-0RCR0GZ00100-1-2 © 2014 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 1/16 TSZ22111・14・001 12.May.2015 Rev.002
ROHM
ローム株式会社
日本
炭素皮膜抵抗の特許を元に創業した。社名のROHM（R:抵抗 Ohm:抵抗を示す単位）はそこに由来する。その後、大規模集積回路の製造を手がけ始め、現在は様々な機能を顧客の要望に応じてLSI上に集積するカスタムLSIが主力となっている。
見積依頼→在庫確認→見積回答→注文→検収→支払 となります。
