HOME>在庫検索>在庫情報
2SC2565
Inchange Semiconductor Product Specification 2SC2565 Silicon NPN Power Transistors ・ DESCRIPTION ・With MT-200 package ・Complement to type 2SA1095 ・High transition frequency APPLICATIONS ・For power amplifier applications PINNING(see Fig.2) PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Collector;connected to mounting base 3 Emitter Fig.1 simplified outline (MT-200) and symbol 导体 半 Absolute maximum ratings (Ta=25°C) 固电 SYMBOL VCBO VCEO VEBO PARAMETER OND IC TOR UC VALUE UNIT Open emitter 160 V Collector-emitter voltage Open base 160 V Emitter-base voltage Open collector 5 V E SEM ANG H Collector-base voltage INC CONDITIONS IC Collector current 15 A IB Base current 1.5 A PC Collectorl power dissipation 150 W Tj Junction temperature 150 ℃ Tstg Storage temperature -55~150 ℃ TC=25℃
TOSHIBA
株式会社 東芝セミコンダクター&ストレージ社
日本
半導体部門、DRAM、フラッシュメモリ、プロセッサ、汎用LSI
弊社からの見積回答メールの返信又はFAXにてお願いします。