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部品型式

2SJ106-Y

製品説明
仕様・特性

2SJ106Y Transistors P-Channel JFET Military/High-RelN V(BR)DSS (V) V(BR)GSS (V) I(D) Max. (A)10.0m I(G) Max. (A) Absolute Max. Power Diss. (W)150m Maximum Operating Temp (øC)125õ I(GSS) Max. (A)1.0n @V(GS) (V) (Test Condition) V(GS)off Min. (V) I(DSS) Max. (A)3.0m V(GS)off Max. (V)6.0 @Vgs (test) (V)0 @V(DS) (V) (Test Condition) @I(D) (A) (Test Condition) I(DSS) Min. (A)1.2m I(DSS) Max. (A)3.0m @V(DS) (V) (Test Condition)10 r(DS)on Max. (Ohms)270 g(fs) Min. (S) Trans. conduct.1.0mé g(fs) Max; (S) Trans. conduct;4.0mÂé

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