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SI1900DL-T1
Si1900DL Vishay Siliconix Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY VDS (V) 30 rDS(on) (W) 0.480 @ VGS = 10 V 0.63 0.700 @ VGS = 4.5 V D TrenchFETr Power MOSFET ID (A) 0.52 SOT-363 SC-70 (6-LEADS) 1 6 D1 G1 2 5 G2 D2 3 4 S2 Marking Code PB XX YY S1 Lot Traceability and Date Code Part # Code Top View Ordering Information: Si1900DL-T1 Si1900DL-T1—E3 (Lead (Pb)-Free) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED) Parameter Symbol 5 secs Steady State Drain-Source Voltage VDS 30 Gate-Source Voltage VGS "20 Unit Continuous Drain Current (TJ = 150_C)LEERER MERKER TA = 25_C TA = 85_C Pulsed Drain Current 0.63 ID 0.59 0.45 0.43 IDM Continuous Source Current (Diode Conduction)LEERER MERKER Maximum Power DissipationLEERER MERKER IS TA = 25_C TA = 85_C Operating Junction and Storage Temperature Range V A 1.0 0.23 0.30 PD 0.25 0.27 0.16 0.14 TJ, Tstg W _C –55 to 150 THERMAL RESISTANCE RATINGS Parameter Maximum Junction to AmbientLEERER MERKER Junction-to-Ambient Maximum Junction-to-Foot (Drain) Symbol Steady State Steady State RthJA RthJF Maximum 360 t v 5 sec Typical 415 400 460 300 Unit 350 _C/W Notes a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board. Document Number: 71251 S-51614—Rev. E, 05-Sep-05 www.vishay.com 1
VISHAY
Vishay Intertechnology,Inc
U.S.A
ビシェイ社は、シリコニクス(Siliconix)、テレフンケン(Telefunken) 、インフィニ オン(Infineon)の赤外線部品部門、ゼネラルセミコンダクター(General Semiconductor)、デール (Dale)、ドラロリック(Draloric)、スプラーグ(Sprague)、ビトラモン(Vitramon)、BCコンポーネンツ （BCcomponents）（前身はフィリップス・エレクトロニクス）およびバイシュラグ(Beyschlag)などの一流企業の戦略的買収活動を重ね世界でもトップクラスの メーカーに成長しました。ビシェイ社の個別半導体および受動部品製品ブランドのポートフォリオは世界最大です。ビシェイ社はシングルサプライヤーとして、これら全ての製品とブランドを提供しています。
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