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部品型式

DSM3MA4

製品説明
仕様・特性

GENERAL-USE RECTIFIER DIODE DSM3MA FEATURES OUTLINE DRAWING • For general purpose • High heat-resistant due to glass passivation. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Items DSM3MA1 Type DSM3MA2 DSM3MA4 100 200 400 Repetitive Peak Reverse Voltage V RRM V Average Forward Current I F(AV) A Surge(Non-Repetitive) Forward Current I FSM A 80( Without PIV, 10ms conduction, Tj = 40°C start ) I t Limit Value 2 It 2 As 25.6( Time = 2 ~ 10ms, I = RMS value ) Operating Junction Temperature Tj °C -40 ~ +150 T stg °C -40 ~ +150 Symbols Units Min. Typ. Peak Reverse Current I RRM µA - - Peak Forward Voltage V FM V - - R th(j-a) °C/W - - 2 Storage Temperature Single-phase half sine wave 180° conduction 3.0 TL = 108°C ( ) CHARACTERISTICS(T L =25°C) Items Steady State Thermal Impedance R th(j-l) Max. Test Conditions 20 DSM3MA1,2 10 DSM3MA4 1.0 I FM =3.0Ap, Single-phase half sine wave 1 cycle 80 13 Rated V RRM On glass-epoxi substrate ( Soldering land ( 10mm) 50mm) PDE-DSM3MA-3 P 1 / 3

ブランド

HITACHI

現況

NECエレクトロニクスは平成14年にNECから、ルネサスは平成15年に日立製作所及び三菱電機からそれぞれ分離独立する形で設立された半導体専業企業であり両者は合併した。

現ブランド

RENESAS

会社名

ルネサス エレクトロニクス株式会社

本社国名

日本

事業概要

2010年(平成22年)4月に設立された大手半導体メーカー。半導体製品の研究開発・製造・販売・サービス。主力製品は、マイコン(CISC、RISC)、パワーデバイス、アナログ&ミックスドシグナルIC、汎用IC、高周波デバイス、光半導体、車載用LSI、産業用LSI、メモリ、ASIC、USB ASSP、システムLSI

供給状況

 
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0.0634369850