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2SA912
2SA912 Transistors Si PNP LP HF BJT Military/High-RelN V(BR)CEO (V)150 V(BR)CBO (V)150 I(C) Max. (A)100m Absolute Max. Power Diss. (W)750m Maximum Operating Temp (øC)135õ I(CBO) Max. (A)1.0u @V(CBO) (V) (Test Condition) h(FE) Min. Current gain.150 h(FE) Max. Current gain. @I(C) (A) (Test Condition)10m @V(CE) (V) (Test Condition)5.0 f(T) Min. (Hz) Transition Freq200M @I(C) (A) (Test Condition) @V(CE) (V) (Test Condition) V(CE)sat Max. (V) @I(C) (A) (Test Condition) @I(B) (A) (Test Condition) h(fe) Min. SS Current gain. @I(C) (A) (Test Condition) @V(CE) (V) (Test Condition)
MATSUSHITA
パナソニック株式会社
日本
大手総合電機メーカー、事業比率 電子部品18%(ICTデバイス)
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