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2SJ505STL-E
2SJ505(L), 2SJ505(S) Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching ADE-208-547B (Z) 3rd. Edition Jun. 1998 Features • Low on-resistance R DS(on) = 0.017Ω typ. • Low drive current. • 4V gate drive devices. • High speed switching. Outline LDPAK 4 4 D 1 G 1 S 2 3 2 3 1. Gate 2. Drain 3. Source 4. Drain
RENESAS
ルネサス エレクトロニクス株式会社
日本
2010年(平成22年)4月に設立された大手半導体メーカー。半導体製品の研究開発・製造・販売・サービス。主力製品は、マイコン(CISC、RISC)、パワーデバイス、アナログ&ミックスドシグナルIC、汎用IC、高周波デバイス、光半導体、車載用LSI、産業用LSI、メモリ、ASIC、USB ASSP、システムLSI
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