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SI1307DL-T1-E3
Si1307DL Vishay Siliconix P-Channel 1.8 V (G-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY VDS (V) ± 0.91 0.435 at VGS = - 2.5 V ± 0.74 0.580 at VGS = - 1.8 V • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFETs: 1.8 V Rated • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC ID (A) 0.290 at VGS = - 4.5 V - 12 RDS(on) (Ω) ± 0.64 SOT-323 SC-70 (3-LEADS) 1 3 S LC XX D YY G Lot Traceability and Date Code Part # Code 2 Top View Ordering Information: Si1307DL-T1-E3 (Lead (Pb)-free) Si1307DL-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 °C, unless otherwise noted Parameter Symbol 5s Steady State Drain-Source Voltage VDS - 12 Gate-Source Voltage VGS ±8 Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)a TA = 25 °C TA = 70 °C Pulsed Drain Current Maximum Power Dissipationa ± 0.91 ± 0.85 ± 0.68 ±3 IDM Continuous Diode Current (Diode Conduction)a IS TA = 25 °C TA = 70 °C - 0.28 A - 0.24 0.34 0.29 0.22 PD 0.19 TJ, Tstg Operating Junction and Storage Temperature Range V ± 0.72 ID Unit - 55 to 150 W °C THERMAL RESISTANCE RATINGS Parameter Maximum Junction-to-Ambienta Maximum Junction-to-Foot (Drain) Symbol t≤5s Steady State Steady State RthJA RthJF Typical Maximum 315 375 360 430 285 Unit 340 °C/W Notes: a. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board. Document Number: 71077 S10-0721-Rev. B, 29-Mar-10 www.vishay.com 1
VISHAY
Vishay Intertechnology,Inc
U.S.A
ビシェイ社は、シリコニクス(Siliconix)、テレフンケン(Telefunken) 、インフィニ オン(Infineon)の赤外線部品部門、ゼネラルセミコンダクター(General Semiconductor)、デール (Dale)、ドラロリック(Draloric)、スプラーグ(Sprague)、ビトラモン(Vitramon)、BCコンポーネンツ （BCcomponents）（前身はフィリップス・エレクトロニクス）およびバイシュラグ(Beyschlag)などの一流企業の戦略的買収活動を重ね世界でもトップクラスの メーカーに成長しました。ビシェイ社の個別半導体および受動部品製品ブランドのポートフォリオは世界最大です。ビシェイ社はシングルサプライヤーとして、これら全ての製品とブランドを提供しています。
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