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MRF150
Order this document by MRF150/D SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA The RF MOSFET Line RF Power Field-Effect Transistor N–Channel Enhancement–Mode MRF150 Designed primarily for linear large–signal output stages up to 150 MHz frequency range. • Specified 50 Volts, 30 MHz Characteristics Output Power = 150 Watts Power Gain = 17 dB (Typ) Efficiency = 45% (Typ) 150 W, to 150 MHz N–CHANNEL MOS LINEAR RF POWER FET • Superior High Order IMD • IMD(d3) (150 W PEP) — – 32 dB (Typ) • IMD(d11) (150 W PEP) — – 60 dB (Typ) • 100% Tested For Load Mismatch At All Phase Angles With 30:1 VSWR D G CASE 211–11, STYLE 2 S MAXIMUM RATINGS Symbol Value Unit Drain–Source Voltage Rating VDSS 125 Vdc Drain–Gate Voltage VDGO 125 Vdc VGS ± 40 Vdc Drain Current — Continuous ID 16 Adc Total Device Dissipation @ TC = 25°C Derate above 25°C PD 300 1.71 Watts W/°C Storage Temperature Range Tstg – 65 to +150 °C Operating Junction Temperature TJ 200 °C Symbol Max Unit RθJC 0.6 °C/W Gate–Source Voltage THERMAL CHARACTERISTICS Characteristic Thermal Resistance, Junction to Case NOTE — CAUTION — MOS devices are susceptible to damage from electrostatic charge. Reasonable precautions in handling and packaging MOS devices should be observed. REV 9 1
TI
Texas Instruments Incorporated
U.S.A
世界25ヶ国以上に製造・販売拠点を有する国際的な半導体企業であり、デジタル情報家電、ワイヤレス、ブロードバンド市場に欠かせないデジタル信号処理を行うDSPと、それに関連するアナログIC、マイクロコントローラを主力製品としている。
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