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部品型式

MRF6VP3450HR5

製品説明
仕様・特性

Freescale Semiconductor Technical Data Document Number: MRF6VP3450H Rev. 4, 4/2010 RF Power Field Effect Transistors MRF6VP3450HR6 MRF6VP3450HR5 MRF6VP3450HSR6 MRF6VP3450HSR5 N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs Designed for broadband commercial and industrial applications with frequencies from 470 to 860 MHz. The high gain and broadband performance of these devices make them ideal for large--signal, common--source amplifier applications in 50 volt analog or digital television transmitter equipment. • Typical DVB--T OFDM Performance: VDD = 50 Volts, IDQ = 1400 mA, Pout = 90 Watts Avg., f = 860 MHz, 8K Mode, 64 QAM Power Gain — 22.5 dB Drain Efficiency — 28% ACPR @ 4 MHz Offset — --62 dBc @ 4 kHz Bandwidth • Typical Broadband Two--Tone Performance: VDD = 50 Volts, IDQ = 1400 mA, Pout = 450 Watts PEP, f = 470--860 MHz Power Gain — 22 dB Drain Efficiency — 44% IM3 — --29 dBc • Capable of Handling 10:1 VSWR, All Phase Angles, @ 50 Vdc, 860 MHz: 450 Watts CW 90 Watts Avg. (DVB--T OFDM Signal, 10 dB PAR, 7.61 MHz Channel Bandwidth) Features • Characterized with Series Equivalent Large--Signal Impedance Parameters • Internally Input Matched for Ease of Use • Qualified Up to a Maximum of 50 VDD Operation • Integrated ESD Protection • Designed for Push--Pull Operation • Greater Negative Gate--Source Voltage Range for Improved Class C Operation • RoHS Compliant • In Tape and Reel. R6 Suffix = 150 Units per 56 mm, 13 inch Reel. R5 Suffix = 50 Units per 56 mm, 13 inch Reel. 860 MHz, 450 W, 50 V LATERAL N-CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFETs CASE 375D-05, STYLE 1 NI-1230 MRF6VP3450HR6(HR5) CASE 375E-04, STYLE 1 NI-1230S MRF6VP3450HSR6(HSR5) PARTS ARE PUSH-PULL RFinA/VGSA 3 1 RFoutA/VDSA RFinB/VGSB 4 2 RFoutB/VDSB (Top View) Figure 1. Pin Connections Table 1. Maximum Ratings Rating Symbol Value Unit Drain--Source Voltage VDSS --0.5, +110 Vdc Gate--Source Voltage VGS --6.0, +10 Vdc Storage Temperature Range Tstg -- 65 to +150 °C Case Operating Temperature TC 150 °C Operating Junction Temperature (1,2) TJ 225 °C 1. Continuous use at maximum temperature will affect MTTF. 2. MTTF calculator available at http://www.freescale.com/rf. Select Software & Tools/Development Tools/Calculators to access MTTF calculators by product. © Freescale Semiconductor, Inc., 2008--2010. All rights reserved. MRF6VP3450HR6 RF Device Data Freescale Semiconductor MRF6VP3450HR5 MRF6VP3450HSR6 MRF6VP3450HSR5 1

ブランド

MOT

現況

1999年8月4日、ディスクリート・標準アナログ・標準ロジックなどの半導体部門をオン・セミコンダクターとして分社化した。これは、イリジウムコミュニケーションズ倒産の損失をカバーするために分社化された。

会社名

ON Semiconductor

本社国名

U.S.A

事業概要

オン・セミコンダクターの前身は、モトローラ社の半導体コンポーネント・グループであり、モトローラ社のディスクリート、標準アナログ、標準ロジック・デバイスを継続して製造。

供給状況

 
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