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PBSS4350SPN,115
PBSS4350SPN 50 V, 2.7 A NPN/PNP low VCEsat (BISS) transistor Rev. 01 — 5 April 2007 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN/PNP double low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a medium power Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. Table 1. Product overview Type number NXP PBSS4350SPN Package Name NPN/NPN complement SOT96-1 SO8 PBSS4350SS PNP/PNP complement PBSS5350SS 1.2 Features I I I I I Low collector-emitter saturation voltage VCEsat High collector current capability IC and ICM High collector current gain (hFE) at high IC High efficiency due to less heat generation Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors 1.3 Applications I I I I Complementary MOSFET driver Half and full bridge motor drivers Dual low power switches (e.g. motors, fans) Automotive 1.4 Quick reference data Table 2. Quick reference data Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit open base - - 50 V - - 2.7 A - - 5 A - 90 130 mΩ TR1; NPN low VCEsat transistor VCEO collector-emitter voltage IC collector current ICM peak collector current single pulse; tp ≤ 1 ms RCEsat collector-emitter saturation resistance IC = 2 A; IB = 200 mA [1]
PHILIPS
2006年8月フィリップス社が半導体部門を投資家グループに売却しKASLION Acquisition B.V.の名称で法人化。2010年5月 社名を現在のNXPセミコンダクターズN.V.に変更。
NXP
NXP Semiconductors
オランダ
高性能ミックスドシグナルICのほか、ディスクリートなどの汎用製品をグローバルに提供している。
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