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MJ411
isc Product Specification INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor MJ411 DESCRIPTION ·High Collector-Emitter Sustaining Voltage: VCEO(SUS)= 300V(Min.) ·Low Collector Saturation Voltage: VCE(sat)= 0.8V(Max)@ IC= 1A APPLICATIONS ·Designed for medium to high voltage inverters, converters, regulators and switching circuits. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V VCBO Collector-Base Voltage 300 VCEO Collector-Emitter Voltage 300 VEBO Emitter-Base Voltage IC Collector Current-Continuous ICM Collector Current-Peak IB Base Current-Continuous PC TJ B Tstg .cn mi e V scs .i ww w 5 5 10 V A A 2 A Collector Power Dissipation@TC=25℃ 100 W Junction Temperature 150 ℃ -65~200 ℃ Storage Temperature Range THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL PARAMETER MAX UNIT Rth j-c Thermal Resistance,Junction to Case 0.75 ℃/W isc Website：www.iscsemi.cn
MOT
1999年8月4日、ディスクリート・標準アナログ・標準ロジックなどの半導体部門をオン・セミコンダクターとして分社化した。これは、イリジウムコミュニケーションズ倒産の損失をカバーするために分社化された。
ON Semiconductor
U.S.A
オン・セミコンダクターの前身は、モトローラ社の半導体コンポーネント・グループであり、モトローラ社のディスクリート、標準アナログ、標準ロジック・デバイスを継続して製造。
見積依頼→在庫確認→見積回答→注文→検収→支払 となります。
