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RF201L2STE25
RF201L2S Diode Fast Recovery Diode RF201L2S Applications General rectification Dimensions Unit : mm Land size figure(Unit : mm) Features 1)Small power mold type. PMDS 2)Ultra low VF 3)Ultra high switching speed 4)Low switching loss Construction Silicon epitaxial Structure Taping specifications Unit : mm Absolute maximum ratings Ta=25 Parameter Reverse voltage (repetitive) Reverse voltage (DC) Average rectified forward current Forward current surge peak 60Hz 1cyc Junction temperature Storage temperature Limits 200 200 2 20 150 -55 to +150 Symbol VRM VR Io IFSM Tj Tstg (*1)Mounting on epoxi board. 180°Half sine wave Unit V V A A Electrical characteristics Ta=25 Parameter Forward voltage Reverse current Reverse recovery time Symbol VF Min. - Typ. 0.815 Max. 0.87 Unit V IF=2.0A Conditions IR - 0.01 10 μA VR=200V - 14 25 ns 1/3
ROHM
ローム株式会社
日本
炭素皮膜抵抗の特許を元に創業した。社名のROHM(R:抵抗 Ohm:抵抗を示す単位)はそこに由来する。その後、大規模集積回路の製造を手がけ始め、現在は様々な機能を顧客の要望に応じてLSI上に集積するカスタムLSIが主力となっている。
見積依頼→在庫確認→見積回答→注文→検収→支払 となります。