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DAN217
DAN217 Data sheet Switching Diode (High speed switching) ● Outline VRM 80 V IFM 300 mA Io 100 mA IFSM 4000 mA ● Features ● Inner Circuit High reliability High Speed switching ● Application ● Packaging Specifications Packing Embossed T ape Reel Size(mm) 180 T aping Width(mm) 8 Basic Ordering Unit(pcs) 3000 T aping Code T146 Marking BA High speed switching ● Structure Epitaxial planar ● Absolute Maximum Ratings (Ta = 25ºC) Parameter Symbol Conditions Limits Unit Reverse voltage Repetitive peak reverse voltage Average rectified forward current Forward current Peak forward surge current Power dissipation * Junction temperature Storage temperature VR V RM Io IFM IFSM PD Tj Tstg t=1μs - 80 80 100 300 4000 200 150 -55 ～ 150 V V mA mA mA mW ℃ ℃ *2 elements total ● Characteristics (Ta = 25ºC) Parameter Forward voltage Reverse current Capacitance between terminals * Reverse recovery time Symbol Conditions VF IR Ct trr IF=100mA V R=70V V R=6.0V f=1.0MHz V R=6.0V IF=5.0mA RL=50Ω Value per element Min. Typ. Max. Unit - - 1.2 0.1 3.5 4.0 V μA pF ns ※Caution： static electricity *Capacitance： b/w 1pin and 2pin www.rohm.com 1/4 © 2016 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 2016/03/17_Rev.002
ROHM
ローム株式会社
日本
炭素皮膜抵抗の特許を元に創業した。社名のROHM（R:抵抗 Ohm:抵抗を示す単位）はそこに由来する。その後、大規模集積回路の製造を手がけ始め、現在は様々な機能を顧客の要望に応じてLSI上に集積するカスタムLSIが主力となっている。
見積依頼→在庫確認→見積回答→注文→検収→支払 となります。
