面実装型
Bridge Diode
Surface Mounting Device
■外観図 OUTLINE
D1UBA80
Unit : mm
Weight : 0.087g（typ.）
Package：SOPA-4
800V 1A
①
④
④
−
特長
品名略号
Type No.
• SMD
• 耐久性に優れ高信頼性
• 端子間 3.4mm
管理番号
（例）
Control No.
UA80
0916
③
∼
③
Feature
∼
②
6.2
②
ロッ
ト記号
（例）
Date code
• SMD
• High-Reliability
• Pin-distance 3.4mm for isolation
①
+
5.3
1.6
外形図については新電元 Web サイト又は〈半導体製品一覧表〉をご参照下
さい。捺印表示については捺印仕様をご確認下さい。
For details of outline dimensions, refer to our web site or the Semiconductor
Short Form Catalog. As for the marking, refer to the specification “Marking,
Terminal Connection”
.
■定格表 RATINGS
●絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings（指定のない場合 Tl = 25℃／unless otherwise specified）
項 目
Item
保存温度
Storage Temperature
接合部温度
Operation Junction Temperature
せん頭逆電圧
Maximum Reverse Voltage
出力電流
Average Rectified Forward Current
せん頭サージ順電流
Peak Surge Forward Current
電流二乗時間積
Current Squared Time
記号
条 件
Symbol Conditions
品 名
Type No.
D1UBA80
単位
Unit
Tstg
−55∼150
℃
Tj
150
℃
VRM
800
V
1.0
A
30
A
3
A2s
IO
IFSM
I2t
アルミナ基板実装
50Hz 正弦波，抵抗負荷，Ta = 25℃
On alumina substrate
50Hz sine wave, Resistance load, Ta = 25℃
50Hz 正弦波，非繰り返し１サイクルせん頭値，Tj = 25℃
50Hz sine wave, Non-repetitive 1cycle peak value, Tj = 25℃
１素子当たりの規格値
1ms≦t＜10ms，Tj = 25℃，
per diode
●電気的・熱的特性 Electrical Characteristics（指定のない場合 Tl = 25℃／unless otherwise specified）
順電圧
Forward Voltage
逆電流
Reverse Current
熱抵抗
Thermal Resistance
16
（J534-1）
VF
IR
θjl
θja
パルス測定，１素子当たりの規格値
Pulse measurement, per diode
VR =VRM, パルス測定，１素子当たりの規格値
Pulse measurement, per diode
接合部・リード間
Junction to Lead
アルミナ基板実装
接合部・周囲間
On alumina substrate
Junction to Ambient
IF = 0.4A,
MAX
0.95
MAX
10
MAX
25
MAX
62.5
V
μA
℃/W
