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部品型式

2SB1184TLQ

製品説明
仕様・特性

Power Transistor (-60V, -3A) 2SB1184 / 2SB1243 Dimensions (Unit : mm) 2SB1184 2SB1243 2.3 +0.2 −0.1 0.5±0.1 0.55±0.1 1.0±0.2 (1) (2) 14.5±0.5 0.65Max. 0.9 2.3±0.2 2.3±0.2 4.4±0.2 0.9 9.5±0.5 2.5 0.65±0.1 0.75 2.5±0.2 6.8±0.2 0.5±0.1 1.5 Structure Epitaxial planar type PNP silicon transistor C0.5 0.9 5.5 +0.3 −0.1 1.5±0.3 6.5±0.2 5.1 +0.2 −0.1 1.0 Features 1) Low VCE(sat). VCE(sat) = -0.5V (Typ.) (IC/IB = -2A / -0.2A) 2) Complements the 2SD1760 / 2SD1864. (3) 2.54 2.54 1.05 (1) (2) (3) ROHM : CPT3 EIAJ : SC-63 (1) Base (2) Collector (3) Emitter ROHM : ATV 0.45±0.1 (1) Emitter (2) Collector (3) Base Absolute maximum ratings (Ta=25C) Parameter Symbol Limits Unit Collector-base voltage VCBO −60 V Collector-emitter voltage VCEO −50 V Emitter-base voltage VEBO −5 V Collector current IC −3 A (DC) Collector power 2SB1184 dissipation 2SB1243 PC 1 15 W W (TC=25°C) 1 W Junction temperature Tj 150 °C Storage temperature Tstg −55 to 150 °C ∗1 ∗1 Printed circuit board, 1.7mm thick, collector copper plating 100mm2 or larger. Electrical characteristics (Ta=25C) Symbol Min. Typ. Max. Unit Collector-base breakdown voltage BVCBO −60 − − V Collector-emitter breakdown voltage BVCEO −50 − − V IC= −1mA Emitter-base breakdown voltage BVEBO −5 − − V IE= −50μA Collector cutoff current ICBO − − −1 μA VCB= −40V Emitter cutoff current IEBO − − −1 μA VEB= −4V VCE(sat) − − −1 V IC/IB= −2A/ −0.2A ∗ hFE 120 − 390 − VCE= −3V, IC= −0.5A ∗ fT − 70 − MHz Cob − 50 − pF Parameter Collector-emitter saturation voltage DC current transfer ratio Transition frequency Output capacitance ∗ Measured using pulse current. www.rohm.com c ○ 2010 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 1/3 Conditions IC= −50μA VCE= −5V, IE=0.5A, f=30MHz VCB= −10V, IE=0A, f=1MHz 2010.02 - Rev.C 2SB1184 / 2SB1243 Data Sheet −10.0 -10.0 −2.0 −1.0 −0.5 s∗ 0m =1 Pw s∗ 0m COLLECTOR CURRENT : IC (A) Ta=25°C ∗Single nonrepetitive pulse DC DC C IC Max. (Pulse)∗ 10 COLLECTOR CURRENT : I C (A) −5.0 −0.2 −0.1 −0.05 −0.02 −50 COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : V CE (V) Fig.10 Safe operation area (2SB1184) www.rohm.com c ○ 2010 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. −0.01 −0.1−0.2 −0.5 −1 −2 −5 −10 −20 −50−100 COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : VCE (V) Fig.11 Safe operation area (2SB1243) 3/3 2010.02 - Rev.C

ブランド

ROHM

会社名

ローム株式会社

本社国名

日本

事業概要

炭素皮膜抵抗の特許を元に創業した。社名のROHM(R:抵抗 Ohm:抵抗を示す単位)はそこに由来する。その後、大規模集積回路の製造を手がけ始め、現在は様々な機能を顧客の要望に応じてLSI上に集積するカスタムLSIが主力となっている。

供給状況

 
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型式 数量 D/C・lead 備考 選択
2SB1184TLQ 7996個 10+ PBF
2SB1184TLQ 7496個 09+ PBF
2SB1184TLQ 5454個 10+ PBF
2SB1184TLQ 4993個 08+ PBF
2SB1184TLQ 2500個 0831 PBF
2SB1184TLQ 2500個 0826 PBF
2SB1184TLQ 2500個 0831 PBF
2SB1184TLQ 2500個 0826 PBF
2SB1184TLQ 2500個 0831 PBF
2SB1184TLQ 233個    

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