デュアルインライン型
Bridge Diode
Dual In-Line Package
■外観図 OUTLINE
S1NB□
Unit : mm
Weight : 0.29g typ.）
（
Package：1N（SMD）
6.8
800V 1A
④
品名略号
Type No.
特長
• 小型 DIP パッケージ
級表示
（例）
Class
Feature
①
S1NB
6094
①＋
③∼
②∼
10
②
ロッ
ト記号
（例） ③
Date code
• Small-DIP
④−
2.6
Package：1 N
（THD）
Unit : mm
Weight : 0.29g typ.）
（
6.8
④
品名略号
Type No.
級表示
（例）
Class
S1NB
6099
③
④−
①＋
③∼
①
②∼
6.5
②
ロッ
ト記号
（例）
Date code
2.5
4.4
外形図については新電元 Web サイト又は〈半導体製品一覧表〉をご参照下
さい。捺印表示については捺印仕様をご確認下さい。
■定格表 RATINGS
●絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings（指定のない場合 Tl = 25℃／unless otherwise speci
項 目
Item
保存温度
Storage Temperature
接合部温度
Operation Junction Temperature
せん頭逆電圧
Maximum Reverse Voltage
出力電流
Average Rectified Forward Current
せん頭サージ順電流
Peak Surge Forward Current
電流二乗時間積
Current Squared Time
記号
条 件
Symbol Conditions
熱抵抗
Thermal Resistance
20
（J534）
単位
Unit
Tstg
−40∼150
℃
Tj
150
℃
VRM
IO
IFSM
2
It
200
50Hz 正弦波，抵抗負荷，プリント基板実装，
Ta = 25℃
50Hz sine wave, Resistance load, On glass-epoxy substrate,
Ta=25℃
50Hz 正弦波，非繰り返し１サイクルせん頭値，Tj = 25℃
50Hz sine wave, Non-repetitive 1cycle peak value, Tj = 25℃
1ms≦t＜10ms，Tj = 25℃， １素子当たりの規格値
per diode
600
800
VF
IR
θjl
θja
IF = 0.5A, パルス測定，１素子当たりの規格値
Pulse measurement, per diode
VR = VRM, パルス測定，１素子当たりの規格値
Pulse measurement, per diode
接合部・リード間
Junction to Lead
接合部・周囲間
Junction to Ambient
V
1
A
30
A
4.5
A2s
●電気的・熱的特性 Electrical Characteristics（指定のない場合 Tl = 25℃／unless otherwise speci
順電圧
Forward Voltage
逆電流
Reverse Current
）
品 名
Type No. S1NB20 S1NB60 S1NB80
MAX
1.05
MAX
10
MAX
15
MAX
68
）
V
μA
℃/W
