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RB161VA-20TR
Data Sheet Schottky Barrier Diode RB161VA-20 Applications General rectification Dimensions (Unit : mm) Land size figure (Unit : mm) 1.1 0.17±0.1 0.05 1.9±0.1 3)High reliability 2.5±0.2 Features 1)Small power mold type.（TUMD2） 2)Low VF 0.8 0.5 2.0 1.3±0.05 TUMD2 Construction Silicon epitaxial planar Structure 0.8±0.05 0.6±0.2 ROHM : TUMD2 0.1 dot (year week factory) + day Taping specifications (Unit : mm) φ1.55±0.1 0 0.25±0.05 2.75 2.8±0.05 8.0±0.2 3.5±0.05 1.75±0.1 2.0±0.05 4.0±0.1 4.0±0.1 1.43±0.05 Absolute maximum ratings (Ta=25°C) Parameter Reverse voltage (repetitive peak) Reverse voltage (DC) Average rectified forward current Forward current surge peak (60Hz・1cyc) Junction temperature Storage temperature Electrical characteristic (Ta=25°C) Parameter Forward voltage Reverse current www.rohm.com © 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. φ1.0±0.2 0 Limits 30 20 1 5 125 40 to 125 Symbol VRM VR Io IFSM Tj Tstg 0.9±0.08 Unit V V A A C C Conditions Symbol VF1 VF 2 Min. - Typ. 0.33 0.38 Max. 0.37 0.42 Unit V μA IF=700mA IF=1A IR - 0.2 1 mA VR=20V 1/3 2011.04 - Rev.A Data Sheet RB161VA-20 1 2 REVERSE POWER DISSIPATION:PR (W) D=1/2 Sin(θ＝180) 0.6 0.4 0.2 AVERAGE RECTIFIED FORWARD CURRENT:Io(A) DC 0.8 FORWARD POWER DISSIPATION:Pf(W) 3 1.5 Sin(θ＝180) 1 D=1/2 DC 0.5 0A 0V 2.5 Io t 2 DC 1.5 T VR D=t/T VR=10V Tj=125℃ D=1/2 1 0.5 Sin(θ＝180) 0 0 0 0.5 1 1.5 AVERAGE RECTIFIED FORWARD CURRENT：Io(A) Io-Pf CHARACTERISTICS 2 0 0 10 20 REVERSE VOLTAGE:VR(V) VR-PR CHARACTERISTICS 30 0 25 50 75 100 AMBIENT TEMPERATURE:Ta(℃) Derating Curveﾞ(Io-Ta) 125 AVERAGE RECTIFIED FORWARD CURRENT:Io(A) 3 0A 0V 2.5 DC 2 Io t T 1.5 VR D=t/T VR=10V Tj=125℃ D=1/2 1 0.5 Sin(θ＝180) 0 0 25 50 75 100 125 CASE TEMPARATURE:Tc(℃) Derating Curveﾞ(Io-Tc) www.rohm.com © 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 3/3 2011.04 - Rev.A
ROHM
ローム株式会社
日本
炭素皮膜抵抗の特許を元に創業した。社名のROHM（R:抵抗 Ohm:抵抗を示す単位）はそこに由来する。その後、大規模集積回路の製造を手がけ始め、現在は様々な機能を顧客の要望に応じてLSI上に集積するカスタムLSIが主力となっている。
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