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部品型式

RB520CS-30

製品説明
仕様・特性

Data Sheet Schottky barrier diode RB520CS-30  Dimensions (Unit : mm)  Land size figure (Unit : mm) 0.55 0.5 0.45 Applications Low current rectification 0.45 Features 1) Ultra Small power mold type. (VMN2) 2) Low IR VMN2 3)High reliability. Construction Silicon epitaxial planar Structure Taping specifications (Unit : mm) Absolute maximum ratings (Ta25C) Parameter Reverse voltage (DC) Average rectiied forward current Forward current surge peak （60Hz/1cyc） Junction temperature Storage temperature Electrical characteristics (Ta25C) Parameter Limits Symbol VR Io IFSM Tj Tstg Unit V mA mA 30 100 500 150 40 to 150 C C Forward voltage Symbol VF Min. - Typ. - Max. 0.45 Unit V Reverse current IR - - 0.5 A www.rohm.com © 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 1/3 Conditions IF=10mA VR=10V 2011.05 - Rev.D

ブランド

ROHM

会社名

ローム株式会社

本社国名

日本

事業概要

炭素皮膜抵抗の特許を元に創業した。社名のROHM（R:抵抗 Ohm:抵抗を示す単位）はそこに由来する。その後、大規模集積回路の製造を手がけ始め、現在は様々な機能を顧客の要望に応じてLSI上に集積するカスタムLSIが主力となっている。

供給状況

　
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