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部品型式

HAT2281C-EL-E

製品説明
仕様・特性

HAT2281C Silicon N Channel MOS FET Power Switching REJ03G1328-0200 Rev.2.00 Jan 26, 2006 Features • Low on-resistance RDS(on) = 109 mΩ typ.(at VGS = 4.5 V) • Low drive current • High density mounting • 2.5 V gate drive device Outline RENESAS Package code: PWSF0006JA-A (Package name: CMFPAK-6) Indexband 6 5 2 3 4 5 DD D D 4 1 2 3 6 G 1. Source 2. Drain 3. Drain 4. Drain 5. Drain 6. Gate S 1 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) Item Symbol Drain to Source voltage VDSS Gate to Source voltage VGSS Drain current ID Note1 Drain peak current ID (pulse) Body - Drain diode reverse Drain current IDR Channel dissipation Pch Note2 Channel temperature Tch Storage temperature Tstg Notes: 1. PW ≤ 10 µs, duty cycle ≤ 1% 2. When using the glass epoxy board (FR4 40 x 40 x 1.6mm) Rev.2.00 Jan 26, 2006 page 1 of 6 Ratings 60 ±12 2 8 2 850 150 –55 to +150 Unit V V A A A mW °C °C HAT2281C Main Characteristics Maximum Safe Operation Area Power vs. Temperature Derating 100 Test Condition : When using the glass epoxy board (FR4 40 x 40 x 1.6 mm) 1.2 3 10 m s 0.03 is limited by RDS(on) 0 50 100 150 Ambient Temperature 0.01 200 0.03 0.1 0.3 3 10 30 100 Typical Transfer Characteristics 10 10 8 2.3 V 2.2 V 4.5 V 2V 1.9 V 6 1.8 V 1.7 V 4 1.6 V 1.5 V 2 1.4 V 8 6 4 Tc = –25°C 2 25°C 75°C VGS = 1.2 V Pulse Test 2 VDS = 10 V Pulse Test 2.1 V Drain Current ID (A) 2.4 V 0 1 Drain to Source Voltage VDS (V) Ta (°C) Typical Output Characteristics Drain Current ID (A) = s Operation in this area µs 0.1 m 0.3 1 PW 1 n tio ra pe O 0.4 10 µs 10 0 10 0.8 Ta = 25°C,1shot pulse When using the FR4 board. C Drain Current ID (A) 30 D Channel Dissipation Pch (W) 1.6 4 6 8 0 10 1 2 3 4 5 Static Drain to Source on State Resistance vs. Drain Current 400 Pulse Test 300 2A 200 1A 100 ID = 0.5 A 0 2 4 6 8 10 Gate to Source Voltage VGS (V) Rev.2.00 Jan 26, 2006 page 3 of 6 Drain to Source On State Resistance RDS(on) (mΩ) Gate to Source Voltage VGS (V) Drain to Source Saturation Voltage vs. Gate to Source Voltage Drain to Source Voltage VDS(on) (mV) Drain to Source Voltage VDS (V) 1000 Pulse Test 2.5 V 100 VGS = 4.5 V 10 0.1 1 Drain Current ID (A) 10

ブランド

RENESAS

会社名

ルネサス エレクトロニクス株式会社

本社国名

日本

事業概要

2010年(平成22年)4月に設立された大手半導体メーカー。半導体製品の研究開発・製造・販売・サービス。主力製品は、マイコン(CISC、RISC)、パワーデバイス、アナログ&ミックスドシグナルIC、汎用IC、高周波デバイス、光半導体、車載用LSI、産業用LSI、メモリ、ASIC、USB ASSP、システムLSI

供給状況

 
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データシート
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型式 数量 D/C・lead 備考 選択
HAT2281C-EL-E 2997個 06+ PBF

提携先在庫情報

型式 数量 D/C・lead 備考 選択
HAT2281CELE 8994個 2006+ PBF  

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