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703984P40
SSM6P40TU TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type SSM6P40TU ○ Power Management Switch Applications ○ High-Speed Switching Applications Unit: mm 2.1±0.1 4.0 V drive P-ch, 2-in-1 Low ON-resistance: 1.3±0.1 2.0±0.1 1 6 2 5 3 Ron = 403mΩ (max) (@VGS = –4 V) Ron = 226mΩ (max) (@VGS = –10 V) 4 Symbol Rating Unit Drain-source voltage VDSS -30 V Gate-source voltage VGSS ± 20 V DC ID -1.4 Pulse IDP -2.8 0.7±0.05 Characteristic 0.166±0.05 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 °C) (Q1,Q2 Common) +0.1 0.3-0.05 • • • 0.65 0.65 1.7±0.1 Drain current Drain power dissipation PD (Note 1) A 500 mW 1.Source1 4.Source2 2.Gate1 5.Gate2 3.Drain2 6.Drain1 Channel temperature Tch 150 °C UF6 Storage temperature range Tstg −55 to150 °C JEDEC ― JEITA ― Note1: Mounted on an FR4 board. (Total dissipation) 2 (25.4 mm × 25.4 mm × 1.6 mm, Cu Pad: 645 mm ) TOSHIBA 2-2T1B Weight: 7.0mg (typ.) Marking 6 5 Equivalent Circuit (top view) 4 6 PP2 1 2 5 Q1 3 1 4 Q2 2 3 1 2008-02-13 SSM6P40TU ID – VDS Common Source Ta = 25 °C ID – VGS -5.0 V -3.5 V -1 -2 ID ID -3.3 V -3.0 V -1 -0.1 Drain current Drain current Common Source VDS = -5 V -4.0 V (A) -10 V -10 (A) -3 -2.8 V Ta = 100 °C -0.01 25 °C − 25 °C -0.001 VGS =- 2.5V 0 0 -0.2 -0.4 -0.6 Drain-source voltage -0.8 VDS -0.0001 0 -1.0 -1.0 (V) RDS (ON) – VGS (V) RDS (ON) – ID Common Source Ta = 25°C Common Source 800 600 400 25 °C Ta = 100 °C 200 Drain-source ON-resistance RDS (ON) (mΩ) Drain-source ON-resistance RDS (ON) (mΩ) VGS 1000 ID =−1.0A 800 600 400 -4.0 V 200 VGS = -10 V − 25 °C 0 -10 0 -20 Gate-source voltage VGS 0 (V) RDS (ON) – Ta (A) Vth – Ta Common Source Vth (V) Gate threshold voltage 800 600 ID = -0.5 A / VGS = -4.0 V -1.0 A / -10 V 200 0 −50 ID -3 -2.0 Common Source 400 -2 -1 Drain current 1000 Drain-source ON-resistance RDS (ON) (mΩ) -4.0 -3.0 Gate-source voltage 1000 0 -2.0 0 50 Ambient temperature 100 Ta VDS = -5.0 V ID = -1 mA -1.0 0 −50 150 (°C) 0 50 Ambient temperature 3 100 Ta 150 (°C) 2008-02-13
NEC
NECエレクトロニクスは平成14年にNECから、ルネサスは平成15年に日立製作所及び三菱電機からそれぞれ分離独立する形で設立された半導体専業企業であり両者は合併した。
RENESAS
ルネサス エレクトロニクス株式会社
日本
2010年（平成22年）4月に設立された大手半導体メーカー。半導体製品の研究開発・製造・販売・サービス。主力製品は、マイコン(CISC、RISC)、パワーデバイス、アナログ＆ミックスドシグナルIC、汎用IC、高周波デバイス、光半導体、車載用LSI、産業用LSI、メモリ、ASIC、USB ASSP、システムLSI
見積依頼→在庫確認→見積回答→注文→検収→支払 となります。
