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部品型式

2SC4617TLRPBF

製品説明
仕様・特性

TAK CHEONG ® PRE LIM INAR Y DA TAS HEET 150mW SOT-523 SURFACE MOUNT 2SC4617 Green Product Plastic Package NPN Silicon General Purpose Transistor 3 Absolute Maximum Ratings Symbol TA = 25°C unless otherwise noted Parameter 2 Value Units PC Collector Power Dissipation 150 mW TSTG Storage Temperature Range -55 to +150 °C +150 °C TJ Operating Junction Temperature VCBO Collector-Base Voltage 50 Collector-Emitter Voltage 50 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V 100 SOT-523 V VCEO 1 mA IC Collector Current - Continuous These ratings are limiting values above which the serviceability of the diode may be impaired. Electrical Symbol: Specification Features: Device Marking Code: Low Cob = 2.0pF (Typical) Low Vce(sat) < 0.4V B9 RoHS Compliant Green EMC Matte Tin(Sn) Lead Finish Weight: approx. 0.002g TA = 25°C unless otherwise noted Electrical Characteristics Symbol Parameter Test Condition Limits Min Typ Max Unit V(BR)CBO Collector-Base Breakdown Voltage IC=50uA, IE=0A 50 Volts V(BR)CEO Collector-Emitter Breakdown Voltage IC=1mA, IB=0A 50 Volts V(BR)EBO Emitter-Base Breakdown Voltage IE=50uA, IC=0A 5 Volts ICBO Collector Cut-off Current VCB=50V, IE=0A 0.1 µA IEBO Emitter Cut-off Current VEB=5V, IC=0A 0.1 µA hFE DC Current Gain VCE=6V, IC=1mA 560 --- Collector-Emitter Saturation Voltage IC=50mA, IB=5mA 0.4 Volts Transition Frequency VCE =5V, IC=10mA f=30MHz 280 MHz Collector Output Capacitance VCB =12V, IE =0A, f=1MHz 2.0 pF VCE(sat) fT COB 120 DB Number: DB-245 June 2013, Preliminary Datasheet Page 1

ブランド

ROHM

会社名

ローム株式会社

本社国名

日本

事業概要

炭素皮膜抵抗の特許を元に創業した。社名のROHM(R:抵抗 Ohm:抵抗を示す単位)はそこに由来する。その後、大規模集積回路の製造を手がけ始め、現在は様々な機能を顧客の要望に応じてLSI上に集積するカスタムLSIが主力となっている。

供給状況

 
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