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2SA1356-Y
2SA1356Y Transistors Si PNP Power BJT Military/High-RelN V(BR)CEO (V)40 V(BR)CBO (V)40 I(C) Max. (A)800m Absolute Max. Power Diss. (W)1.2 Maximum Operating Temp (øC)140õ I(CBO) Max. (A)1.0u @V(CBO) (V) (Test Condition) V(CE)sat Max. (V) @I(C) (A) (Test Condition) @I(B) (A) (Test Condition) h(FE) Min. Current gain.120 h(FE) Max. Current gain.240 @I(C) (A) (Test Condition)50m @V(CE) (V) (Test Condition)2.0 f(T) Min. (Hz) Transition Freq100M @I(C) (A) (Test Condition) @V(CE) (V) (Test Condition) t(d) Max. (s) Delay time. t(r) Max. (s) Rise time t(on) Max. (s) On time.
TOSHIBA
株式会社 東芝セミコンダクター＆ストレージ社
日本
半導体部門、DRAM、フラッシュメモリ、プロセッサ、汎用LSI
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