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CSB250D
CSBD135A Transistors Si NPN Power BJT Military/High-RelN V(BR)CEO (V)45 V(BR)CBO (V)45 I(C) Max. (A)500m Absolute Max. Power Diss. (W)1.2 Maximum Operating Temp (øC) I(CBO) Max. (A)100nØ @V(CBO) (V) (Test Condition) V(CE)sat Max. (V) @I(C) (A) (Test Condition) @I(B) (A) (Test Condition) h(FE) Min. Current gain.40 h(FE) Max. Current gain.100 @I(C) (A) (Test Condition)150m @V(CE) (V) (Test Condition)2.0 f(T) Min. (Hz) Transition Freq50M¦ @I(C) (A) (Test Condition) @V(CE) (V) (Test Condition) t(d) Max. (s) Delay time. t(r) Max. (s) Rise time t(on) Max. (s) On time.
MURATA
株式会社 村田製作所
日本
コンポーネント コンデンサ - スマートフォンやカーエレクトロニクス等に使用されるチップ積層セラミックコンデンサなど。 圧電製品 - 携帯電話向け表面波フィルタやコンピュータ向けセラミック発振子など。 その他のコンポーネント - EMI除去フィルタ、コイル、サーミスタ、コネクタ、センサなど。 モジュール 通信モジュール - 近距離無線通信モジュール、多層デバイスなど 電源モジュール
見積依頼→在庫確認→見積回答→注文→検収→支払 となります。
