シングルインライン型
Bridge Diode
Single In-line Package
■外観図 OUTLINE
D3SBA□
Unit : mm
Weight : 3.9g typ.）
（
Package：3S
600V 4A
管理番号（例）
Control No.
品名
Type No.
特長
• 薄型 SIP パッケージ
• UL E142422
ロッ
ト記号
（例）
Date code
25
4.6
D3SBA60 0264
15
Feature
＋
①
• Thin-SIP
• UL E142422
∼ ∼
② ③
−
④
+
∼
∼
−
17.5
①
②
③
④
外形図については新電元 Web サイト又は〈半導体製品一覧表〉をご参照下
さい。捺印表示については捺印仕様をご確認下さい。
■定格表 RATINGS
●絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings（指定のない場合 Tc=25℃／unless otherwise speci
項 目
Item
保存温度
Storage Temperature
接合部温度
Operation Junction Temperature
せん頭逆電圧
Maximum Reverse Voltage
出力電流
Average Rectified Forward Current
せん頭サージ順電流
Peak Surge Forward Current
電流二乗時間積
Current Squared Time
絶縁耐圧
Dielectric Strength
締め付けトルク
Mounting Torque
記号
条 件
Symbol Conditions
）
品 名
Type No. D3SBA20 D3SBA60
Tstg
−40∼150
℃
Tj
150
℃
VRM
IO
IFSM
2
It
Vdis
TOR
200
フィン付き
Tc = 108℃
50Hz 正弦波，抵抗負荷
With heatsink
50Hz sine wave,
フィンなし
Resistance load
Ta = 25℃
Without heatsink
50Hz 正弦波，非繰り返し１サイクルせん頭値， Tj = 25℃
50Hz sine wave, Non-repetitive 1cycle peak value, Tj = 25℃
1ms≦t＜10ms，Tj = 25℃， １素子当たりの規格値
per diode
一括端子・ケース間，AC１分間印加
Terminals to Case, AC 1 minute
（推奨値：0.5 N・m）
(Recommended torque : 0.5 N m)
・
600
4
VF
IR
θ
jc
熱抵抗
Thermal Resistance
θ
jl
θ
ja
50
（J534）
パルス測定，１素子当たりの規格値
IF = 2A,
Pulse measurement, per diode
VR = VRM, パルス測定，１素子当たりの規格値
Pulse measurement, per diode
接合部・ケース間，フィン付き
Junction to Case, With heatsink
接合部・リード間，フィンなし
Junction to Lead, Without heatsink
接合部・周囲間，フィンなし
Junction to Ambient, Without heatsink
V
A
2.3
80
A
32
A 2s
2
kV
0.8
N・m
●電気的・熱的特性 Electrical Characteristics（指定のない場合 Tc=25℃／unless otherwise speci
順電圧
Forward Voltage
逆電流
Reverse Current
単位
Unit
）
MAX
1.05
MAX
10
MAX
5.5
MAX
6
MAX
30
V
μA
℃/W
