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部品型式

M54583FP

製品説明
仕様・特性

M54583FP 8-UNIT 400mA DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY SINK TYPE DESCRIPTION PIN CONFIGURATION M54583FP is eight-circuit collector-current sink type Darlington transistor arrays. The circuits are made of PNP and NPN NC transistors. Both the semiconductor integrated circuits perform 1 ○ 20 NC IN1→ 2 19 →O1 IN2→ 3 18 →O2 FEATURES IN3→ 4 17 →O3 ● High breakdown voltage (BVCEO > 50V) IN4→ 5 16 →O4 IN5→ 6 15 →O5 IN6→ 7 14 →O6 IN7→ 8 13 →O7 IN8→ 9 12 →O8 high-current driving with extremely low input-current supply. ● High-current driving (IC(max) = 400mA) INPUT ● Active L-level input ● With input clamping diodes APPLICATIONS GND 11 10 OUTPUT Vcc Interfaces between microcomputers and high-voltage, high Package type current drive systems, drives of relays and printers, and MOS- 20P2N-A NC : No connection bipolar logic IC interfaces CIRCUIT DIAGRAM FUNCTION The M54583FP is produced by adding PNP transistors to M54585 inputs. Eight circuits having active L-level inputs are Vcc provided. 7K Resistance of 7kΩ and diode are provided in series between each input and PNP transistor base. The input diode is INPUT intended to prevent the flow of current from the input to the OUTPUT 2.7K 7K 7.2K VCC. Without this diode, the current flow from “H” input to the 3K VCC and the “L” input circuits is activated, in such case where GND one of the inputs of the 8 circuits is “H” and the others are “L” to save power consumption. The diode is inserted to prevent such misoperation. The eight circuits share the Vcc and GND. This device is most suitable for a driver using NMOS IC output The diode, indicated with the dotted line, is parasitic, and cannot be used. Unit :Ω especially for the driver of current sink. Collector current is 400mA maximum. Collector-emitter supply voltage is 50V. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Unless otherwise noted, Ta = –20 ~ +75℃) Symbol VCC VCEO VI IC Pd Topr Tstg 2012.May Parameter Supply voltage Collector-emitter voltage Input voltage Collector current Power dissipation Operating temperature Storage temperature Conditions Output , H Current per circuit output, L Ta = 25℃, when mounted on board 1 Ratings 10 – 0.5 ~ + 50 – 0.5 ~ VCC 400 1.10 – 20 ~ + 75 – 55 ~ + 125 Unit V V V mA W ℃ ℃

ブランド

MITSUBISHI

現況

NECエレクトロニクスは平成14年にNECから、ルネサスは平成15年に日立製作所及び三菱電機からそれぞれ分離独立する形で設立された半導体専業企業であり両者は合併した。

現ブランド

RENESAS

会社名

ルネサス エレクトロニクス株式会社

本社国名

日本

事業概要

2010年(平成22年)4月に設立された大手半導体メーカー。半導体製品の研究開発・製造・販売・サービス。主力製品は、マイコン(CISC、RISC)、パワーデバイス、アナログ&ミックスドシグナルIC、汎用IC、高周波デバイス、光半導体、車載用LSI、産業用LSI、メモリ、ASIC、USB ASSP、システムLSI

供給状況

 
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