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2SD1381F-Q
2SD1381FQ Transistors Si NPN Power HF BJT Military/High-RelN V(BR)CEO (V)80 V(BR)CBO (V) I(C) Max. (A)2.0 Absolute Max. Power Diss. (W)5.0 Maximum Operating Temp (øC) I(CBO) Max. (A) @V(CBO) (V) (Test Condition) h(FE) Min. Current gain.120 h(FE) Max. Current gain.270 @I(C) (A) (Test Condition)100m @V(CE) (V) (Test Condition)3.0 f(T) Min. (Hz) Transition Freq @I(C) (A) (Test Condition) @V(CE) (V) (Test Condition) V(CE)sat Max. (V) @I(C) (A) (Test Condition) @I(B) (A) (Test Condition) Package StyleTO-126 Mounting StyleT Pinout Equivalence Code3-1
ROHM
ローム株式会社
日本
炭素皮膜抵抗の特許を元に創業した。社名のROHM（R:抵抗 Ohm:抵抗を示す単位）はそこに由来する。その後、大規模集積回路の製造を手がけ始め、現在は様々な機能を顧客の要望に応じてLSI上に集積するカスタムLSIが主力となっている。
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