面実装デバイス 単体型
Rectifier Diode
Surface Mounting Device Single Diode
■外観図 OUTLINE
DG0R7V60
Unit : mm
Weight : 0.011g typ.）
（
Package：G1F
600V 1A
ロッ
ト記号
（例）
Date code
品名略号
Type No.
特長
3.5
• 小型 SMD
• 耐湿性に優れ高信頼性
①
V 69
Feature
②
1.6
①
②
カ ドマーク
ソー
Cathode mark
• Small SMD
• High-Reliability
0.8
外形図については新電元 Web サイト又は〈半導体製品一覧表〉をご参照下
さい。捺印表示については捺印仕様をご確認下さい。
■定格表 RATINGS
項 目
Item
保存温度
Storage Temperature
接合部温度
Operation Junction Temperature
せん頭逆電圧
Maximum Reverse Voltage
品 名
Type No.
記号
条 件
Symbol Conditions
DG0R7V60
単位
Unit
Tstg
−55∼150
℃
Tj
150
℃
VRM
600
V
Ta = 29℃ *1
せん頭サージ順電流
Peak Surge Forward Current
電流二乗時間積
Current Squared Time
順電圧
Forward Voltage
逆電流
Reverse Current
IO
50Hz 正弦波，抵抗負荷
50Hz sine wave, Resistance load
1.0
A
A
It
1ms≦t＜10ms，Tj = 25℃
1.0
A2s
VF
IF = 0.7A,
IR
VR = 600V,
パルス測定
Pulse measurement
パルス測定
Pulse measurement
θ
ja
接合部・周囲間
Junction to Ambient
接合部・ リード間，アルミナ基板実装
Junction to Lead, On alumina substrate
2
*2：ガラエポ基板実装（1インチ基板）銅箔パターン総面積160mm2 2）
Measured on the 1 inch phenol substrate（pattern area: 160mm
（J534）
0.7
15
2
*1：ガラエポ基板実装（1インチ基板）銅箔パターン総面積32.6mm 2）
Measured on the 1 inch phenol substrate（pattern area: 32.6mm
180
Ta = 59℃ *2
50Hz 正弦波，非繰り返し１サイクルせん頭値，Tj = 25℃
50Hz sine wave, Non-repetitive 1cycle peak value, Tj = 25℃
IFSM
θ
jl
熱抵抗
Thermal Resistance
0.55
Tl = 126℃
出力電流
Average Rectified Forward Current
MAX
1.1
V
MAX
10
μA
*1
MAX
210
*2
MAX
120
MAX
20
℃/W
