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部品型式

2N1499A

製品説明
仕様・特性

2N1499A Transistors Ge PNP Lo-Pwr BJT Military/High-RelN V(BR)CEO (V)20â V(BR)CBO (V)20 I(C) Max. (A)100m Absolute Max. Power Diss. (W)60m Maximum Operating Temp (øC)100þ I(CBO) Max. (A)3.0u @V(CBO) (V) (Test Condition)5.0 h(FE) Min. Current gain.30 h(FE) Max. Current gain. @I(C) (A) (Test Condition)10m @V(CE) (V) (Test Condition)300m h(fe) Min. SS Current gain.20Ÿ @I(C) (A) (Test Condition)40m @V(CE) (V) (Test Condition).50 @Freq. (Hz) (Test Condition) f(T) Min. (Hz) Transition Freq100M @I(C) (A) (Test Condition)5.0m @V(CE) (V) (Test Condition)3.0 C(obo) (Max) (F)3.0p @V(CB) (V) (Test Condition)6.0

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