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部品型式

RB160M-60

製品説明
仕様・特性

Data Sheet Schottky Barrier Diode RB160M-60 Applications General rectification Dimensions (Unit : mm) Land size figure (Unit : mm) 0.1±0.1 　　　 0.05 1.2 0.85 1.6±0.1 3)High reliability 3.5±0.2 ① 2.6±0.1 3.05 Features 1)Small power mold type.（PMDU） 2)Low IR PMDU Construction Silicon epitaxial planar Structure 0.9±0.1 0.8±0.1 ROHM : PMDU JEDEC :SOD-123 Manufacture Date Taping specifications (Unit : mm) 4.0±0.1 1.81±0.1 Absolute maximum ratings (Ta=25°C) Parameter Reverse voltage (repetitive) Reverse voltage (DC) Average rectified forward current Forward current surge peak （60Hz・1cyc） Junction temperature Storage temperature Io IFSM Tj Tstg 3.71±0.1 8.0±0.2 φ1.0±0.1 Limits 60 60 1 30 150 40 to 150 Symbol VRM VR 0.25±0.05 1.75±0.1 φ1.55±0.05 2.0±0.05 3.5±0.05 4.0±0.1 1.5MAX Unit V V A A C C (*1)Mounting on epoxi board. 180°Half sine wave Electrical characteristic (Ta=25°C) Parameter Forward voltage Reverse current Capacitance between terminals www.rohm.com © 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. Conditions Symbol VF IR Min. - Typ. 0.49 7.0 Max. 0.55 50 Unit V μA IF=1.0A VR=60V Ct - 40 - pF VR=10V , f=1MHz 1/3 2011.04 - Rev.E

ブランド

ROHM

会社名

ローム株式会社

本社国名

日本

事業概要

炭素皮膜抵抗の特許を元に創業した。社名のROHM（R:抵抗 Ohm:抵抗を示す単位）はそこに由来する。その後、大規模集積回路の製造を手がけ始め、現在は様々な機能を顧客の要望に応じてLSI上に集積するカスタムLSIが主力となっている。

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