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C426
C426 Transistors Si NPN Lo-Pwr BJT Military/High-RelN V(BR)CEO (V)30 V(BR)CBO (V)60 I(C) Max. (A) Absolute Max. Power Diss. (W)800m Maximum Operating Temp (øC)175õ I(CBO) Max. (A)100nØ @V(CBO) (V) (Test Condition) V(CE)sat Max. (V) @I(C) (A) (Test Condition) @I(B) (A) (Test Condition) h(FE) Min. Current gain. h(FE) Max. Current gain. @I(C) (A) (Test Condition) @V(CE) (V) (Test Condition) f(T) Min. (Hz) Transition Freq80M @I(C) (A) (Test Condition) @V(CE) (V) (Test Condition) C(obo) (Max) (F)12p @V(CB) (V) (Test Condition) @Freq. (Hz) (Test Condition)
STM
STMicroelectronics NV
スイス
半導体を製造・販売する、スイスのジュネーヴに本社を置く企業。 日本法人は、エス・ティー・マイクロエレクトロニクス株式会社。
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