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RB441Q-40
RB441Q-40 Diodes Schottky barrier diode RB441Q-40 Applications Low current rectification External dimensions (Unit : mm) Features 1) Glass sealed envelope. (MSD) 2) Low VF, Low IR 3) High reliability Construction Silicon epitaxial planar Taping specifications H2 A BLUE B C L1 L2 F D H1 Absolute maximum ratings (Ta = 25 C) Parameter Reverse voltage (repetitive peak) Reverse voltage (DC) Average rectified forward current Forward current surge peak (60Hz 1cyc) Junction temperature Storage temperature Symbol VRM VR Io IFSM Tj Tstg Electrical characteristics (Ta = 25 C) Parameter Symbol VF1 Forward current VF2 Min. - Typ. - Max. 0.34 0.55 Unit V V IR - - 100 μA Ct - 6.0 - pF Reverse current Capacitance between terminals Limits 40 40 100 1 125 -40 to +125 Unit V V mA A Conditions IF=10mA IF=100mA VR=40V VR=10V , f=1MHz Rev.C 1/3
ROHM
ローム株式会社
日本
炭素皮膜抵抗の特許を元に創業した。社名のROHM(R:抵抗 Ohm:抵抗を示す単位)はそこに由来する。その後、大規模集積回路の製造を手がけ始め、現在は様々な機能を顧客の要望に応じてLSI上に集積するカスタムLSIが主力となっている。
見積依頼→在庫確認→見積回答→注文→検収→支払 となります。