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HM624100HJP-12
HM624100H Series 4M High Speed SRAM (1-Mword × 4-bit) ADE-203-789D (Z) Rev. 1.0 Sep. 15, 1998 Description The HM624100H is a 4-Mbit high speed static RAM organized 1-Mword × 4-bit. It has realized high speed access time by employing CMOS process (4-transistor + 2-poly resistor memory cell) and high speed circuit designing technology. It is most appropriate for the application which requires high speed and high density memory, such as cache and buffer memory in system. The HM624100H is packaged in 400-mil 32-pin SOJ for high density surface mounting. Features • Single 5.0 V supply : 5.0 V ± 10 % • Access time 10/12/15 ns (max) • Completely static memory No clock or timing strobe required • Equal access and cycle times • Directly TTL compatible All inputs and outputs • Operating current : 200/180/160 mA (max) • TTL standby current : 70/60/50 mA (max) • CMOS standby ccurrent : 5 mA (max) : 1.2 mA (max) (L-version) • Data retension current : 0.8 mA (max) (L-version) • Data retension voltage : 2.0 V (min) (L-version) • Center VCC and VSS type pinout
HITACHI
NECエレクトロニクスは平成14年にNECから、ルネサスは平成15年に日立製作所及び三菱電機からそれぞれ分離独立する形で設立された半導体専業企業であり両者は合併した。
RENESAS
ルネサス エレクトロニクス株式会社
日本
2010年（平成22年）4月に設立された大手半導体メーカー。半導体製品の研究開発・製造・販売・サービス。主力製品は、マイコン(CISC、RISC)、パワーデバイス、アナログ＆ミックスドシグナルIC、汎用IC、高周波デバイス、光半導体、車載用LSI、産業用LSI、メモリ、ASIC、USB ASSP、システムLSI
見積依頼→在庫確認→見積回答→注文→検収→支払 となります。
