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部品型式

SSM3J331RLFB

製品説明
仕様・特性

SSM3J331R MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS) SSM3J331R 1. Applications • Power Management Switches 2. Features (1) 1.5-V gate drive voltage. (2) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 150 mΩ (max) (@VGS = -1.5 V) RDS(ON) = 100 mΩ (max) (@VGS = -1.8 V) RDS(ON) = 75 mΩ (max) (@VGS = -2.5 V) RDS(ON) = 55 mΩ (max) (@VGS = -4.5 V) 3. Packaging and Pin Configuration 1. Gate 2. Source 3. Drain SOT-23F Start of commercial production ©2016 Toshiba Corporation 1 2011-07 2016-08-24 Rev.5.0

ブランド

TOSHIBA

会社名

株式会社　東芝セミコンダクター＆ストレージ社

本社国名

日本

事業概要

半導体部門、DRAM、フラッシュメモリ、プロセッサ、汎用LSI

供給状況

　
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