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部品型式

MA3X152E0L

製品説明
仕様・特性

Switching Diodes MA3X152K Silicon epitaxial planar type Unit : mm + 0.2 For switching circuits 2.8 − 0.3 1.45 0.95 0.65 ± 0.15 1 3 + 0.1 2 VR 80 V Peak reverse voltage VRM 80 Forward current (DC) IF 100 mA Peak forward current IFM 225 mA Non-repetitive peak forward surge current* IFSM 500 mA + 0.1 V Junction temperature Tj 150 Tstg −55 to +150 1 : Anode 2 : NC JEDEC : TO-236 3 : Cathode EIAJ : SC-59 Mini Type Package (3-pin) °C Storage temperature 0.1 to 0.3 0.4 ± 0.2 0 to 0.1 Reverse voltage (DC) 0.16 − 0.06 Unit 0.8 Rating + 0.2 Symbol 1.1 − 0.1 I Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C Parameter 0.4 − 0.05 • Short reverse recovery time trr • Small terminal capacitance, Ct 1.5 0.95 + 0.2 2.9 − 0.05 I Features 1.9 ± 0.2 0.65 ± 0.15 + 0.25 − 0.05 °C Marking Symbol: MI Internal Connection Note) * : t = 1 s 1 3 2 I Electrical Characteristics Ta = 25°C Parameter Symbol Conditions Min Typ Max Unit 0.1 µA 0.95 1.2 V Reverse current (DC) IR VR = 75 V Forward voltage (DC) VF IF = 100 mA Reverse voltage (DC) VR IR = 100 µA Terminal capacitance Ct VR = 0 V, f = 1 MHz 2 pF Reverse recovery time* trr IF = 10 mA, VR = 6 V Irr = 0.1 · IR, RL = 100 Ω 3 ns 80 V Note) 1. Rated input/output frequency: 100 MHz 2. * : trr measuring circuit Bias Application Unit N-50BU Input Pulse tp tr 10% A VR Pulse Generator (PG-10N) Rs = 50 Ω W.F.Analyzer (SAS-8130) Ri = 50 Ω 90% tp = 2 µs tr = 0.35 ns δ = 0.05 Output Pulse t IF trr t Irr = 0.1 · IR IF = 10 mA VR = 6 V RL = 100 Ω 1

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