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部品型式

M54563FP

製品説明
仕様・特性

M54563FP 8-UNIT 500mA DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY WITH CLAMP DIODE SOURCE TYPE DESCRIPTION PIN CONFIGURATION M54563FP is an eight-circuit output-sourcing darlington transistor array. The circuits are made of PNP and NPN NC transistors. This semiconductor integrated circuit performs high 1 ○ NC 20 IN1→ 2 19 →O1 IN2→ 3 18 →O2 IN3→ 4 17 →O3 IN4→ 5 16 →O4 IN5→ 6 15 →O5 ● With clamping diodes IN6→ 7 14 →O6 ● Driving available with PMOS IC output of 6 ~ 16V or IN7→ 8 13 →O7 IN8→ 9 12 →O8 current driving with extremely low input-current supply. FEATURES ● High breakdown voltage (BVCEO > 50V) INPUT ● High-current driving (Io(max) = –500mA) with TTL output ● Output current-sourcing type Vs 11 10 Package type APPLICATIONS OUTPUT GND 20P2N-A NC : No connection Drives of relays, printers, LEDs, fluorescent display tubes and lamps, and interfaces between MOS-bipolar logic systems CIRCUIT DIAGRAM and relays, solenoids, or small motors. VS FUNCTION 20K The M54563FP each have eight circuits, which are made of input inverters and current-sourcing outputs. 3K The outputs are made of PNP transistors and NPN INPUT Darlington transistors. The PNP transistor base current is 7.2K 3K 1.5K constant. A clamping diode is provided between each output OUTPUT and GND. VS and GND are used commonly among the eight GND circuits. The inputs have resistance of 3kΩ, and voltage of up to 10V is The eight circuits share the VS and GND. applicable. Output current is 500 mA maximum. Supply voltage The diode, indicated with the dotted line, is parasitic, and cannot be used. Unit :Ω VS is 50V maximum. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Unless otherwise noted, Ta = –20 ~ +75°C) Symbol VCEO # VS VI IO IF # VR Pd Topr Tstg Parameter Collector-emitter voltage Supply voltage Input voltage Output current Clamping diode forward current Clamping diode reverse voltage Power dissipation Operating temperature Storage temperature Conditions Output , L Current per circuit output, H Ta = 25℃, when mounted on board # : Unused Input pins must be connected to GND. 2012.May 1 Ratings –0.5 ~ +50 50 –0.5 ~ +10 – 500 – 500 50 1.10 –20 ~ +75 –55 ~ +125 Unit V V V mA mA V W ℃ ℃

ブランド

MITSUBISHI

現況

NECエレクトロニクスは平成14年にNECから、ルネサスは平成15年に日立製作所及び三菱電機からそれぞれ分離独立する形で設立された半導体専業企業であり両者は合併した。

現ブランド

RENESAS

会社名

ルネサス エレクトロニクス株式会社

本社国名

日本

事業概要

2010年(平成22年)4月に設立された大手半導体メーカー。半導体製品の研究開発・製造・販売・サービス。主力製品は、マイコン(CISC、RISC)、パワーデバイス、アナログ&ミックスドシグナルIC、汎用IC、高周波デバイス、光半導体、車載用LSI、産業用LSI、メモリ、ASIC、USB ASSP、システムLSI

供給状況

 
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