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部品型式

TK65G10N1,RQS

製品説明
仕様・特性

TK65G10N1 MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H) TK65G10N1 1. Applications • Switching Voltage Regulators 2. Features (1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 3.8 mΩ (typ.) (VGS = 10 V) (2) Low leakage current: IDSS = 10 µA (max) (VDS = 100 V) (3) Enhancement mode: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA) 3. Packaging and Internal Circuit 1: Gate 2: Drain 3: Source D2PAK Start of commercial production 1 2013-08 2014-06-30 Rev.4.0

ブランド

TOSHIBA

会社名

株式会社　東芝セミコンダクター＆ストレージ社

本社国名

日本

事業概要

半導体部門、DRAM、フラッシュメモリ、プロセッサ、汎用LSI

供給状況

　
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