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RB160A40T32
RB160A40 Diodes Schottky barrier diode RB160A40 Applications General rectification Dimensions (Unit : mm) CATHODE BAND φ0.6±0.1 ① ② 2 Features 1) Cylindrical mold type. (MSR) 2) High I surge capability. 3) Low IR. 4) High ESD. 3.0±0.2 29±1 29±1 φ2.5±0.2 ROHM : MSR ① Construction Silicon epitaxial planar ② Manufacture Date Taping specifications (Unit : mm) BROWN H2 BLUE A Symbol E B C L2 L1 F H1 D Standard dimension value(mm) T-31 52.4±1.5 Ａ +0.4 T-32 26.0 0 T-31 5.0±0.5 B T-31 5.0±0.3 T-31 C 1.0 max. T-32 T-31 D 0 T-32 T-31 1/2A±1.2 E T-32 1/2A±0.4 T-31 ±0.7 Ｆ T-32 0.2 max. T-31 H1 6.0±0.5 T-32 T-31 H2 5.0±0.5 T-32 T-31 1.5 max. |L1-L2| T-32 0.4 max. ＊H1(6mm)：BROWN Absolute maximum ratings (Ta=25°C) Parameter Reverse voltage (repetitive peak) Reverse voltage (DC) Average rectified forward current (*1) Forward current surge peak （t=100µs） Junction temperature Storage temperature Symbol VRM VR Io IFSM Tj Tstg Limits 40 40 1 50 150 -55 to +150 Unit V V A A ℃ ℃ (*1) Mounted on epoxy board. 180°Half sine wave Electrical characteristics (Ta=25°C) Parameter Forward voltage Reverse current ESD break down voltage Symbol VF IR ESD Min. 0.36 20 Typ. 0.46 4.00 - Max. 0.51 30 - Unit V µA kV Conditions IF=1.0A VR=40V C=100pF,R=1.5kΩ, forward and reverse : 1 time Rev.B 1/3
ROHM
ローム株式会社
日本
炭素皮膜抵抗の特許を元に創業した。社名のROHM（R:抵抗 Ohm:抵抗を示す単位）はそこに由来する。その後、大規模集積回路の製造を手がけ始め、現在は様々な機能を顧客の要望に応じてLSI上に集積するカスタムLSIが主力となっている。
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