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部品型式

ML101J27

製品説明
仕様・特性

MITSUBISHI LASER DIODES ML1XX27 SERIES FOR OPTICAL INFORMATION SYSTEMS TYPE NAME ML101J27 This type is under development. Therefore, please note that this data sheet may be changed without any notice. DESCRIPTION ML1XX27 is FEATURES a high-power, high-efficient •High Output Power: 350mW (Pulse) AlGaInP semiconductor laser which provides a stable, single transverse mode oscillation with emission wavelength of • High Efficiency: 0.95W/A (typ.) 658nm and standard pulse light output of 350mW. • Low Aspect Ratio (θ⊥ / θ//): 1.7 (typ.) • Visible Light: 660nm (typ.) ML1XX27 has a real-index-waveguide which improves the slope efficiency (reduction of the operating current) and the • Low Astigmatic Distance: 1µm (typ.) astigmatic distance. APPLICATION Also, ML1XX27 has a window-mirror-facet which improves the maximum output power. That leads to highly reliable and Portable High-Density Optical Disc Drives Re-Writable DVD Drives high-power operation at 75 °C. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Note 1) Symbol Parameter Conditions Ratings Po Light output power VRL Unit CW 130 Pulse(Note 2) 350 Reverse voltage - 2 V Tc Case temperature - -10 ~ +75 °C Tstg Storage temperature - -40 ~ +100 °C mW Note1: The maximum rating means the limitation over which the laser should not be operated even instant time. This does not mean the guarantee of its lifetime. As for the reliability, please refer to the reliability report issued by Quality Assurance Section, HF & Optical Semiconductor Division, Mitsubishi Electric Corporation. Note2: TARGET SPEC /Condition Duty Cycle: less than 35%, pulse width: less than 30ns ELECTRICAL/OPTICAL CHARACTERISTICS (Tc=25°C) Symbol Parameter Test conditions Min. Typ. Max Unit Ith Threshold current CW - 80 - mA Iop Operating current CW, Po=120mW - 200 - mA Vop Operating voltage CW, Po=120mW - 2.5 3.0 V η Slope efficiency CW, Po=120mW - 0.95 - mW/mA λp Peak wavelength CW, Po=120mW 654 660 664 nm θ// Beam divergence angle (parallel) CW, Po=120mW 7 10 12 ° θ⊥ Beam divergence angle (perpendicular) CW, Po=120mW 14 17 20 ° As of Sep. ‘05 MITSUBISHI ELECTRIC (1/3)

ブランド

MITSUBISHI

現況

NECエレクトロニクスは平成14年にNECから、ルネサスは平成15年に日立製作所及び三菱電機からそれぞれ分離独立する形で設立された半導体専業企業であり両者は合併した。

現ブランド

RENESAS

会社名

ルネサス エレクトロニクス株式会社

本社国名

日本

事業概要

2010年(平成22年)4月に設立された大手半導体メーカー。半導体製品の研究開発・製造・販売・サービス。主力製品は、マイコン(CISC、RISC)、パワーデバイス、アナログ&ミックスドシグナルIC、汎用IC、高周波デバイス、光半導体、車載用LSI、産業用LSI、メモリ、ASIC、USB ASSP、システムLSI

供給状況

 
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