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IXTM24N50
IXTM24N50 Transistors N-Channel Enhancement MOSFET Military/High-RelN V(BR)DSS (V)500 V(BR)GSS (V)20 I(D) Max. (A)24 I(DM) Max. (A) Pulsed I(D) @Temp (øC) IDM Max (@25øC Amb) @Pulse Width (s) (Condition) Absolute Max. Power Diss. (W)300 Minimum Operating Temp (øC) Maximum Operating Temp (øC)150õ Thermal Resistance Junc-Case Thermal Resistance Junc-Amb. V(GS)th Max. (V) V(GS)th (V) (Min) @(VDS) (V) (Test Condition) @I(D) (A) (Test Condition) I(DSS) Max. (A) @V(DS) (V) (Test Condition) @Temp (øC) (Test Condition) I(GSS) Max. (A)100n
IXYS
IXYS Corporation
U.S.A
IXYS社は1983年にアメリカシリコンバレーに設立されたパワー半導体メーカーであり、革新的な技術でIGBTを世に送り出しました、 1989年にはパワー半導体製造では1921年来の歴史を持つABB（アセア・ブラウンボベリ）のドイツ・ランパートハイム・パワー半導体本部を傘下に迎え、最先端技術によるスイッチングパワー素子の開発、製造に加え、ドイツABB社により長年築き上げられたバイポーラ製品、およびモジュール技術と融合し、最先端技術を有する世界規模のパワー半導体メーカーとして、優れた製品をご提供しております｡ 近年RFパワー半導体のDirect Energy Inc. (DEI)、英国の大容量パワー半導体メーカーWestcode社、加えてフォトMosリレー、SSRの米国老舗Clare社、ミックスドシグナルIC、電子ペーパー用ドライバASIC等のMicronix社、GaAsFETのMicrowave Technology社（MWT)を傘下に招き、大容量パワー半導体からIC製品までの幅広い優れた製品をご提供しております。
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