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RB480K
RB480K Diodes Shottky barrier diode RB480K Applications Low current rectification Dimensions (Unit : mm) Land size figure (Unit : mm) Each lead has same dimension Features 1) Ultra small mold type. (UMD4) 2) Low IR. 3) High reliability. Construction Silicon epitaxial planar Structure Taping dimensions (Unit : mm) Absolute maximum ratings (Ta=25 C) Parameter Reverse voltage (repetitive peak) Reverse voltage (DC) Average rectified forward current *1 Forward current surge peak 60Hz 1cyc Junction temperature Storage temperature *1 Limits 45 40 100 1 125 -40 to +125 Symbol VRM VR Io IFSM Tj Tstg Unit V V mA A (*1) Rating of per diode Electrical characteristics (Ta=25 C) Parameter Symbol VF1 Forward voltage VF2 IR 1 Reverse current IR 2 Capacitance between terminals Ct1 Min. - Typ. 6 Max. 0.45 0.6 1 5 - Unit V V μA μA pF Ct2 - - 25 pF Conditions IF=10mA IF=100mA VR=10V VR=40V VR=10V , f=1MHz VR=0V Rev.C 1/3
MITSUBISHI
NECエレクトロニクスは平成14年にNECから、ルネサスは平成15年に日立製作所及び三菱電機からそれぞれ分離独立する形で設立された半導体専業企業であり両者は合併した。
RENESAS
ルネサス エレクトロニクス株式会社
日本
2010年（平成22年）4月に設立された大手半導体メーカー。半導体製品の研究開発・製造・販売・サービス。主力製品は、マイコン(CISC、RISC)、パワーデバイス、アナログ＆ミックスドシグナルIC、汎用IC、高周波デバイス、光半導体、車載用LSI、産業用LSI、メモリ、ASIC、USB ASSP、システムLSI
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