製品説明 仕様・特性: Data Sheet Schottky Barrier Diode RB161L-40 Dimensions (Unit : mm) Applications General rectification Land size figure (Unit : mm) 2.0 ② PMDS 2.0±0.2 1.5±0.2 Construction Silicon epitaxial planar 4.2 0.1±0.02 　　　 0.1 5.0±0.3 3 ① 3)High reliability 1.2±0.3 3 4.5±0.2 Features 1)Small power mold type. PMDS）（ 2)Low VF 2.0 2.6±0.2 Structure ROHM : PMDS JEDEC : SOD-106 Manufacture Date Date ① ② Manufacture Taping specifications(Unit : mm) 2.0±0.05 4.0±0.1 0.3 12±0.2 5.5±0.05 5.3±0.1 　 0.05 9.5±0.1 1.75±0.1 φ1.55±0.05 φ1.55 2.9±0.1 4.0±0.1 2.8MAX Absolute maximum ratings(Ta=25°C) Parameter Reverse voltage (repetitive) Reverse voltage (DC) Average rectified forward current Forward current surge peak (60Hz ・1cyc) Junction temperature Storage temperature Limits Symbol VRM VR Io IFSM Tj Tstg Unit V V A A C C 40 20 1 70 125 40 to 125 (*1)Mounted on epoxy board. 180°Half sine wave Electrical characteristic (Ta=25°C) Parameter Conditions Min. Typ. Max. Forward voltage Symbol VF - - 0.40 V IF=1.0A Reverse current IR - - 1 mA VR=20V www.rohm.com © 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 1/3 Unit 2011.04 - Rev.H

事業概要: 炭素皮膜抵抗の特許を元に創業した。社名のROHM（R:抵抗 Ohm:抵抗を示す単位）はそこに由来する。その後、大規模集積回路の製造を手がけ始め、現在は様々な機能を顧客の要望に応じてLSI上に集積するカスタムLSIが主力となっている。

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