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部品型式

RB551V-30

製品説明
仕様・特性

Schottky Barrier Diode RB551V-30 Datasheet lDimensions (Unit : mm) High frequency rectification 0.1±0.1 　　　 0.05 0.9MIN. 2.1 1.25±0.1 lLand size figure (Unit : mm) 0.8MIN. lApplication 1.7±0.1 1) Small mold type. (UMD2) 2) Low VF 2.5±0.2 lFeatures UMD2 3) High reliability. lStructure Cathode 0.7±0.2 　　　 0.1 0.3±0.05 JEITA : SC-90/A ROHM : UMD2 dot (year week factory) JEDEC :SOD-323 lConstruction Silicon epitaxial planar Anode lTaping specifications (Unit : mm) φ 1.55±0.05 f1.550.05 2.0±0.05 0.3±0.1 φf1.05 1.05 4.0±0.1 1.40±0.1 2.8±0.1 2.75 8.0±0.2 3.5±0.05 1.75±0.1 4.0±0.1 1.0±0.1 lAbsolute maximum ratings (Ta= 25°C) Parameter Symbol Limits Unit Reverse voltage (repetitive peak) VRM 30 V Reverse voltage (DC) VR 20 V Average rectified forward current Io 500 A IFSM 2 A Junction temperature Tj 125 °C Storage temperature Tstg -40 to +125 °C Forward current surge peak (60Hz・1cyc) lElectrical characteristics (Ta = 25°C) Parameter Forward voltage Reverse current www.rohm.com © 2013 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. Conditions Symbol Min. Typ. Max. Unit VF1 - - 0.36 V IF=100mA VF2 - - 0.47 V IF=500mA IR - - 100 mA VR=20V 1/5 2013.04 - Rev.D

ブランド

ROHM

会社名

ローム株式会社

本社国名

日本

事業概要

炭素皮膜抵抗の特許を元に創業した。社名のROHM（R:抵抗 Ohm:抵抗を示す単位）はそこに由来する。その後、大規模集積回路の製造を手がけ始め、現在は様々な機能を顧客の要望に応じてLSI上に集積するカスタムLSIが主力となっている。

供給状況

　
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